據外媒報道指美國已開始關注中國剛剛崛起的存儲晶元產業，甚至還點名了長江存儲，意圖限制歐美設備商為這些中國存儲晶元企業供應晶元生產設備；與此同時美國方面已推出了晶元補貼計劃，給美國的晶元提供數百億美元的補貼，如此蠻橫的態度無疑是希望提升美國晶元的競爭，然而筆者認為美國的做法無助於美國晶元的發展。
一、美國晶元不思進取
美國晶元的競爭力日益被削弱的主要原因在於美國晶元自身，近10多年美國晶元已有點不思進取，其中又以美國晶元龍頭Intel表現最為明顯。Intel執全球晶元行業牛耳已有20多年時間，然而近幾年它在營收方面不時被三星超越，在技術方面則被AMD和台積電趕超。
三星趕超Intel在於存儲晶元行業的興起，近幾年存儲晶元價格持續上漲，作為全球NAND flash和DRAM龍頭的三星由此取得了營收的快速增長，隨著存儲晶元行業的興起，近幾年Intel又再次轉身進入存儲晶元行業，也曾取得不小的市場份額，但是今年初Intel已決定將存儲晶元業務賣給SK海力士，由此退出存儲晶元行業。
Intel的主要業務則是PC處理器和伺服器晶元，Intel和AMD都採用X86架構，不過Intel的處理器研發卻一直被詬病擠牙膏，AMD則以Zen架構異軍突起；台積電也幫了AMD大忙，從10nm工藝以來，台積電就已在工藝製程方面領先於Intel，而AMD的處理器正是交給台積電代工，兩者合力下推動AMD在桌面處理器擊敗Intel，在伺服器晶元市場也已取得一成多市場份額，Intel在伺服器晶元市場則首次跌穿九成。
Intel可謂美國晶元不思進取的代表，Intel自身並不缺錢，在2016年之前它的凈利潤高於台積電，營收也比台積電多近200億美元，而AMD更是持續虧損，在錢足夠多的情況下，Intel在晶元架構和工藝研發方面都先後被AMD和台積電超越。
美國的其他晶元企業也與Intel類似，在利潤豐厚的情況下卻不捨得投入，導致如今在諸多晶元行業逐漸落後，乃至被亞洲地區的晶元企業超越，這才是美國晶元競爭力下滑的主要原因。
二、美國的做法無助美國晶元提升競爭力
為了扶持美國晶元，美國如今一方面是對中國晶元採取行動，一方面是提出了數百億美元晶元補貼計劃，這些舉措其實起到了反作用。
由於美國的做法，近幾年來中國大舉發展晶元產業，由此中國的晶元產能迅速從全球前五之外提升至如今的全球第三，並且中國的晶元製造產能還在快速上升，工藝研發也在加快推進，正在縮短與中國大陸以外的晶元企業的差距。
在晶元設計產業，由於美國晶元被限制向華為供應5G射頻晶元，由此中國的射頻晶元企業看到了機會，富滿微、卓勝微等都已研發出國產的5G射頻晶元，成功打破了空白，相比起射頻晶元，影響更大的存儲晶元行業發展更快。
幾年前中國才開始發展存儲晶元，當時全球已發展96層NAND flash存儲晶元，而中國研發的還是落後的32層NAND flash，但是3年時間過去，中國已研發出128層NAND flash存儲晶元，達到全球主流水平，如今192層NAND flash存儲晶元技術已研發成功並正推進量產，可望達到世界領先水平。
在中國存儲晶元企業的努力下，它們當前正在推進二期工程，二期工程可望推動中國的NAND flash和DRAM的產能再增加兩倍，如此中國可望成為繼韓國、美國、日本之後的第四大存儲晶元生產國。
如此情況下，美國晶元企業卻依然沉浸在以往的厚利中躺著賺錢而不願意持續創新保持領先技術優勢，美國提出的晶元補貼計劃只不過是讓這些美國晶元企業額外得到更多利潤，有了更豐厚的利潤，它們沒有感受到生存危機自然更不會努力創新。
由此形成了鮮明對比，在美國的做法下，中國製造認識到了晶元的重要性而竭力推進晶元產業發展，具有強大的發展動力；美國晶元企業本就過得太舒服，美國的補貼讓他們可以更舒服地躺著過日子，自然更不思進取，所以美國的做法可謂進一步將美國晶元培養成阿斗，而激發中國晶元奮鬥，這應該是它所沒有預料到的。
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