我們之前就介紹過，除了ASML最新的High-EUV光刻機之外，日本光刻機大廠佳能發布的納米印刷光刻機也非常引人關注，因為這種光刻機在價格和晶元生產成本上，都要由於ASML的High-EUV光刻機，也可以說佳能是在高端光刻機市場上，唯一能稱得上ASML對手的廠商，而現在佳能也迎來了好消息，美光已經宣布會在內存晶元的生產上，使用佳能的納米印刷光刻機。
儘管Intel、台積電和三星等晶元代工大廠，都會繼續支持ASML，但像存儲廠商，都會自己購買相應的存儲晶元生產設備。考慮到存儲廠商更注重成本，所以佳能在剛宣布納米列印光刻機的時候，就引起了很多企業的注意。現在美光計劃首先支持日本佳能的納米半導體印刷技術，希望藉此進一步降低生產DRAM內存晶元的成本。
很有意思的是，美光日前自己發布演講，專門介紹了佳能納米半導體印刷技術用於DRAM生產的細節，包括DRAM製程和沉浸式曝光解析度，由於層數不斷增加，代表必須增加更多曝光步驟，以取出密集記憶體陣列周圍虛假結構。佳能的納米印刷光刻機，似乎比傳統的設備更有利於美光在內存晶元上的製造。
這其實意味著美光已經掌握了佳能這個光刻機生產內存晶元的技術，考慮到光學系統的特性，DRAM層的圖案很難用光學曝光來繪畫，而納米半導體列印可更精細列印圖案，且納米半導體印刷成本是沉浸式光刻機的20%，所以是很好的解決方案。但另一方面，納米印刷光刻機並不能在記憶體生產所有階段取代傳統光刻機，所以兩者並非純粹競爭關係，但對廠商來說至少降低單技術操作的成本。
佳能公司在2023年10月公布了型號為FPA-1200NZ2C的納米半導體印刷設備，佳能社長表示，納米半導體印刷問世，為小型半導體製造商生產先進晶元開闢了新的途徑。納米半導體印刷是指將有半導體電路圖的光罩壓印至晶圓，只需一個印記就可在適當位置形成複雜2D 或3D電路圖，而且未來只需改進光罩就能生產2nm的晶元。當然我們不能說這個技術就比ASML更先進，但至少讓廠商有了更多的選擇。
對於ASML來說，佳能已經是一個肉眼可見的競爭對手了，而且佳能最大的優勢就是成本，原本佳能說納米光科技只需要傳統EUV光刻機十分之一的價格就能搞定，但現在看來價格降不到這麼低，不過依然比ASML有不小的優勢，另外生產成本更低，也會促使一些廠商會考慮採用佳能的方案。當然最後的問題還是，這種光刻設備能引入中國么？
