據報道,近日國內科創企業世紀金光半導體有限公司成功開發出規格為1200V/600A的大功率碳化硅模塊產品,成為國內首個大功率碳化硅模塊,將應用到新能源汽車核心部件上,助力整車輕量化。
目前,世界知名新能源汽車製造商特斯拉已率先在控制器上應用了大功率碳化硅模塊,起到了器件小型化、整車輕量化的作用,在新能源汽車領域中掀起了碳化硅材料應用熱潮。第三代半導體碳化硅損耗僅為傳統半導體的一半,是支撐新能源汽車輕量化的重要材料。
第三代半導體材料—碳化硅SiC
碳化硅半導體產業蘊藏巨大潛力,目前被少數發達國家壟斷
碳化硅半導體是繼第一代半導體(硅Si)和第二代半導體(砷化鎵GaAs)後的第三代半導體材料。性能方面,以碳化硅為代表的第三代半導體材料擁有更高的禁帶寬度、擊穿電場和熱導率,其優越性能使其在微波功率器件領域應用中蘊藏巨大前景,非常適用於製作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。
因此,日、美、德、俄等國都在花大力研究,目前被少數發達國家壟斷封鎖並對我國實施禁運。
碳化硅半導體的完整產業鏈包括:碳化硅-晶錠-襯底-外延-晶元-器件-模塊,其下游應用包括半導體照明、電子電力器件、激光器和探測儀以及其他應用。
碳化硅半導體市場規模有望快速增長
碳化硅器件正在廣泛應用於電力電子領域中,典型市場包括軌交、功率因數校正電源(PFC)、風電(Wind)、光伏(PV)、新能源汽車(EV/HEV)、充電樁、不間斷電源(UPS)等。
根據法國知名電子供應鏈市場研究機構Yole數據,預計到2020年全球SiC應用市場規模將達到5億美元,而到2022年市場規模將會進一步達到10億美元,其中2016-20年的複合增速為28%,同時隨著下游電動車產業驅動,2020-22年的複合增速將達到40%。
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