業界考慮進一步放寬 HBM 內存高度限制，混合鍵合導入恐再延後

it之家 3 月 8 日消息，hbm 高帶寬內存的一大演進趨勢是堆疊層數的增加，在目前的 hbm4 世代主流堆疊層數是 12 / 16。jedec 在制定 hbm4 規範時已經放寬了一次堆棧高度限制，從 720µm 提升到了 775μm。

而參考韓媒 zdnet korea 與 etnews 的報道，面對下一代堆疊可達 20 層的 hbm，行業正在考慮進一步放寬高度限制至 800µm 乃至更多。

如果想在現有的 775μm 內以現有堆疊容納 20 層 dram，則需要對 dram 晶圓進行大幅減薄，這會增加晶圓損壞的風險，進一步降低本已足夠複雜的 hbm 的良率。

削減整體堆棧厚度的另一個方向是降低兩層 dram 的間距，而這需要從鍵合方面著手。已被用於 nand 快閃記憶體的混合（銅）鍵合可大幅度降低間距，但其技術難度極高的同時也需要大量的設備投資。如果高度限制被放寬，混合鍵合的導入也將被延後。

zdnet korea 還提供了另一個視角：台積電在先進封裝領域佔據主導地位，對標準的制定也有很大話語權。而台積電推動的 3d 先進封裝技術 soic 會導致與 hbm 堆棧配套的 xpu 複合體增高，這為 hbm「長高」提供了天然裕量。