消息稱三星電子 1c 納米內存良率明顯提升，設計改進起到關鍵作用

it之家 6 月 24 日消息，參考韓媒 sedaily 當地時間本月 19 日報道和另一家韓媒 mk 的今日報道，三星電子的第六代 10 納米級（it之家註：即 1c nm）dram 內存工藝在設計改進等的推動下良率明顯提升。

sedaily 在報道中宣稱，三星去年 1c nm 內存的良率還不到 30%，而在今年五月的性能測試中良率達到了 50%~70%；mk 則提到了 60% 以上的近期良率數據。

兩家韓媒都表示，良率的明顯提升是大膽的設計變更的作用，這雖然會導致量產時間的延後，但在技術層面取得了顯著的改進。

由於在 hbm 市場的失利，三星電子在今年一季度將 dram 內存營收第一的寶座拱手讓給 sk 海力士。考慮到三星的 hbm4 內存就基於 1c nm dram，該工藝的良率改善有望為三星重振旗鼓打下堅實基礎。