4月11日，日本先進半導體企業Rapidus集中公布多項核心進展，在完成巨額政企聯合融資、推出AI半導體設計工具後，其2026財年2nm製程研發項目獲日本NEDO正式批准，同時北海道千歲市的分析中心與芯粒解決方案基地同步啟用。
從資金、技術、項目到產能配套形成全鏈條支撐，該公司正穩步向2027財年下半年2nm先進邏輯半導體量產目標推進。
2676億日元政企融資落地 築牢量產資金底座
2026年2月27日，Rapidus完成總額2676億日元的融資，由日本政府與民間企業聯合出資，為2nm晶元從研發轉向規模化量產提供充足資金保障。
其中，日本經濟產業省管轄的信息處理推進機構（IPA）出資1000億日元，佳能、富士通、NTT、軟銀、索尼等32家本土企業合計出資1676億日元。疊加成立初期募資，截至2026年2月27日，公司資本金及法定資本盈餘已達2749.5億日元。
此外，Rapidus自2022財年起持續獲得NEDO在先進半導體領域的研發補貼，後續還將通過增資、貸款等方式補充資金，保障量產規劃落地。
AI設計工具發布 大幅提升晶元研發效率
2025年12月，Rapidus在東京SEMICON Japan展會上推出AI智能設計工具套件Raads，作為企業高效統一製造服務體系的核心，該工具將於2026年分批推向市場，並與工藝設計套件、參考流程同步交付客戶。
Raads依託大語言模型與機器學習技術，覆蓋晶元設計生成、性能預測、流程導航、版圖管理、參數優化全流程，搭配傳統EDA工具使用後，可將晶元設計周期縮短50%、設計成本降低30%。
與此同時，Rapidus北海道千歲IIM-1晶圓廠已完成高端設備部署與自動化產線搭建，2025年下半年成功完成2nm環繞柵極（GAA）晶體管原型試製，獲取了關鍵電學特性數據。
NEDO獲批2026財年2nm項目 技術研發穩步推進
2026年4月11日，Rapidus2026財年2nm半導體研發項目的計劃與預算，獲日本新能源·產業技術綜合開發機構（NEDO）正式批准，相關課題歸屬後5G通信基建強化研發及先進半導體製造委託項目。
獲批核心課題分為兩大方向：基於日美合作的2nm半導體集成與短交期製造技術研發，以及2nm芯粒及封裝設計製造技術開發。
2025財年，公司已在前道工藝實現300mm晶圓上2nm GAA晶體管導通驗證，並向核心客戶發布先行版工藝設計套件；在後道封裝領域，成功試製出全球首款600mm見方有機絕緣膜重布線層中介板。
2026財年，Rapidus將在前道發布完整版工藝設計套件、搭建短交期生產體系，在後道推動芯粒解決方案試產線全面運營，開展2.xD/3D封裝製程驗證。
分析中心與芯粒方案啟用 完善產研配套體系
同日，Rapidus位於北海道千歲市的分析中心正式投用，該中心緊鄰IIM-1晶圓廠，可提供物理分析、環境化學分析、電學測試及可靠性驗證服務，補齊先進晶元研發關鍵環節。
同步全面運營的還有Rapidus芯粒解決方案（RCS）基地，該基地2024年10月啟動建設，2025年4月完成設備安裝並進入試產階段，此次正式啟用標誌著先進芯粒與3D封裝研發產能落地。
兩處設施的啟用儀式同步舉辦，日本經濟產業大臣赤澤亮正、北海道知事鈴木直道、千歲市市長橫田龍一及多位國會議員出席並剪綵。
高管表態：錨定2027量產目標 持續突破核心技術
Rapidus代表董事、首席執行官小池淳義表示，2025財年公司成功完成日本首款2nm GAA晶體管與全球首創600mm級有機RDL中介板的技術驗證，感謝各級政府與產業鏈夥伴的支持。
未來公司將依託資金、項目、設施與AI工具四大核心支撐，持續提升2nm工藝精度與良率，突破2.xD/3D先進封裝技術，穩步實現2027年2nm先進半導體量產目標。
Rapidus成立於2022年8月，總部位於日本東京都千代田區，專註於頂尖邏輯半導體的研發、設計與製造。公司通過整合晶元設計、晶圓製造、3D封裝全流程能力，攜手產業鏈夥伴構建先進半導體產業生態，以半導體技術推動產業升級與社會發展。
