業界考慮進一步放寬 HBM 內存高度限制,混合鍵合導入恐再延後

2026年03月08日22:50:18 科技 1990

it之家 3 月 8 日消息,hbm 高帶寬內存的一大演進趨勢是堆疊層數的增加,在目前的 hbm4 世代主流堆疊層數是 12 / 16。jedec 在制定 hbm4 規範時已經放寬了一次堆棧高度限制,從 720µm 提升到了 775μm。

而參考韓媒 zdnet korea 與 etnews 的報道,面對下一代堆疊可達 20 層的 hbm行業正在考慮進一步放寬高度限制至 800µm 乃至更多

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▲ hbm 結構,以美光 hbm3e 為例

如果想在現有的 775μm 內以現有堆疊容納 20 層 dram,則需要對 dram 晶圓進行大幅減薄,這會增加晶圓損壞的風險,進一步降低本已足夠複雜的 hbm 的良率。

削減整體堆棧厚度的另一個方向是降低兩層 dram 的間距,而這需要從鍵合方面著手。已被用於 nand 快閃記憶體的混合(銅)鍵合可大幅度降低間距,但其技術難度極高的同時也需要大量的設備投資。如果高度限制被放寬,混合鍵合的導入也將被延後

zdnet korea 還提供了另一個視角:台積電在先進封裝領域佔據主導地位,對標準的制定也有很大話語權。而台積電推動的 3d 先進封裝技術 soic 會導致與 hbm 堆棧配套的 xpu 複合體增高,這為 hbm「長高」提供了天然裕量。

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▲ soc 與 soic 下的不同形態 cowos

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