本文由半導體產業縱橫（id：icviews）綜合
中國約佔全球半導體存儲器市場的30%。
全球規模最大的半導體存儲器和存儲技術盛會——未來存儲大會（fms），於2025年8月5日至7日（美國時間）在美國加利福尼亞州聖克拉拉舉行。大會涵蓋主題演講、專題講座、展覽等多元環節，且僅開放現場參會，未提供線上參與渠道。近日，fms官方網站已正式發布主題演講視頻及全體會議報告的幻燈片，披露了多項行業核心數據與發展預判。
市場研究公司yole group高級分析師josephine lau以「存儲器市場概覽——2025年展望」為題發表講座，重點預測了半導體存儲器市場至2030年的發展趨勢，並深入剖析了hbm（高帶寬內存）市場的未來前景。結合其披露的核心數據，2024年全球dram與nand快閃記憶體市場的區域份額（按企業總部所在地劃分）呈現明確格局：美洲在兩大市場中均位居首位，中國則位列第二。
具體來看，yole group測算數據顯示，2024年中國將佔據全球dram市場26%的份額（對應市場價值250億美元），在nand快閃記憶體市場的份額則達到33%（對應市場價值220億美元），其中中國在nand快閃記憶體市場的區域份額高於dram市場。從市場價值合計維度，2024年全球dram與nand快閃記憶體市場總價值達1650億美元，中國佔比470億美元，對應全球佔比28.5%。
需注意的是，dram與nand快閃記憶體合計佔據全球半導體存儲器市場97%的份額，據此可推算中國約佔全球半導體存儲器市場的30%。
2024年dram市場和nand快閃記憶體市場的區域份額（區域劃分基於總部所在地）。來源：2025年fms會議論文集，yole集團
在供應商競爭層面，yole group還分析了2024年主要dram及nand快閃記憶體供應商在中國市場的銷售額佔比。其中，三星電子、sk海力士、美光科技三大dram巨頭中，三星在中國市場的銷售額佔比最高，sk海力士緊隨其後，美光位居第三；即便如此，三星在中國市場的銷售額佔比也僅約30%，整體處於較低水平。
中國dram和nand快閃記憶體主要供應商的市場價值和銷售額佔比（2024年）來源：2025年fms會議論文集，yole集團
從全球產能供需格局來看，以晶圓加工量為核心指標的分析顯示，中國大陸與美國的市場需求均超過本地供應；而包括日本、韓國、中國台灣、新加坡在內的其他亞洲國家及地區（不含中國）則呈現供應過剩態勢，凸顯這些區域是全球dram與nand快閃記憶體的核心供應基地。按工廠所在地劃分的全球生產比例數據顯示，韓國以45%的佔比位居第一，中國大陸以24%位列第二，後續依次為日本（16%）、中國台灣（10%）、新加坡（4%）和美國（2%）。值得關注的是，儘管中國大陸的生產比例排名第二，但其產能仍無法滿足本土市場需求。
資本投資方面，2020-2024年全球半導體存儲器企業的投資趨勢明確：三星的資本投資額始終位居行業首位，sk海力士與美光的投資額約為三星的一半。細分領域中，專註於nand快閃記憶體的鎧俠-閃迪聯盟在2030-2024年期間選擇控制資本投資規模，而全球nand快閃記憶體龍頭企業則持續加大投資；另有一大核心看點是，中國dram龍頭企業在2024年的資本投資額將實現大幅增長。
半導體存儲器公司存儲器生產資本投資趨勢（2020-2024）。來源：2025年fms會議論文集，yole集團
近日，野村證券預測，受人工智慧基礎設施建設及傳統伺服器投資回暖的驅動，全球存儲市場規模有望在2026年同比增長98%至4450億美元，並在2027年進一步擴大至5900億美元。
報告強調，這一輪超級周期將持續至2027年，主要動力來自強勁的需求增長與有限的供應擴張之間的供需錯配。野村預計，2026年dram和nand的需求將分別增長30%，而hbm的需求增幅將高達63%。在供應受限的背景下，產品價格將大幅上漲，預計dram和nand的平均售價（asp）將分別躍升46%和65%，推動存儲晶元製造商的營業利潤率重回歷史高位。
野村指出，除了ai伺服器的強勁需求外，通用伺服器市場的復甦也是關鍵驅動力。隨著大型科技公司恢復傳統雲伺服器投資，預計2026年通用伺服器相關內存（如ddr4和ddr5）需求將增長約50%。同時，ai推理工作負載的增加推動了數據中心對高性能存儲的需求，企業級固態硬碟（essd）需求預計將在明年翻倍，這將導致nand庫存迅速下降並推高價格。
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