近日，存儲晶元市場迎來顯著變化。全球半導體巨頭三星電子已正式向客戶發出通知，計劃在第四季度全面上調dram與nand快閃記憶體產品的合約價格。這一行為標誌著存儲晶元行業進入新一輪的價格上漲周期。
圖片來源：三星電子
根據報道，此次價格調整主要集中於面向移動設備的低功耗內存（lpddr），具體產品包括lpddr4x、lpddr5和lpddr5x，其漲幅預計在15%至30%之間。同時，應用於移動存儲的nand快閃記憶體產品價格也將迎來5%到10%的上漲。
此次價格上調並非三星的孤立行為，而是整個存儲行業的普遍趨勢。此前，包括閃迪和美光在內的多家主要存儲晶元製造商已先後宣布漲價。閃迪在本月已通知客戶其nand快閃記憶體產品價格上調10%，而美光則宣布其主要產品價格漲幅高達20%至30%。這種集體性的價格上調，反映出市場供需關係已發生轉變。
本次存儲晶元價格上漲的背後，是供給端和需求端雙重因素共同作用的結果。
首先，在供給端，廠商存儲器公司正在逐步減少ddr4和lpddr4x等代表性老款dram產品的產量，並將重點轉向下一代ddr5和hbm。
其次，在需求端，第四季度是傳統的電子產品銷售旺季，智能手機和筆記本電腦製造商的需求顯著增加。更重要的是，人工智慧（ai）技術的快速發展，特別是ai pc和ai手機的興起，對高性能內存和快閃記憶體產生了巨大需求，進一步加劇了市場供需不平衡。
此外，根據報道，由於市場需求意外增加，三星電子原計劃在今年6月就停止生產ddr4和lpddr4將會進一步延遲到2026年底，進一步反映出，老一代產品市場需求的強勁。
花旗集團等研究機構預測，明年dram和nand快閃記憶體的供應將可能出現缺口。這種結構性供需失衡預計將持續到2026年，將直接促進三星電子半導體部門第四季度盈利能力的提升。
