目標 2029 年量產 MRAM 內存,力積電將與日企 Power Spin 合作

2024年02月23日10:31:31 科技 8551

it之家 2 月 8 日消息,據日經新聞近日報道,晶圓代工企業力積電計劃今年上半年與日企 power spin 達成合作,目標 2029 年實現 mram 內存量產。雙方的合作中,power spin 將提供 mram 相關 ip 授權,力積電進行進一步的量產化研發和試產,最終達到量產目標。

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據了解,power spin 由日本東北大學於 2019 年成立,持有 stt-mram 相關技術。

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▲ power spin 商標

mram 內存是一種非易失性內存,其在擁有高速讀寫性能的同時可在斷電下保存數據;而且 mram 的耗電量相較現有內存也更少,理論上可低至 1/100。不過 mram 也面臨多重自身問題:成本過高、耐用性與可靠性仍需進一步驗證。

在生成式 ai 浪潮來襲的今天,數據中心需求大量內存,能耗優異的 mram 因此成為密切關注對象,相關需求增加。日經認為,這是力積電找上 power spin 合作的重要背景原因。

力積電計劃使用在日合資公司的二期生產線生產 mram 內存,以推動這一新型內存的普及。該合資公司由力積電與日本 sbi 控股於去年成立,計劃總投資 8000 億日元(it之家註:約合 388 億人民幣)在日本建設兩期生產線,首期將於 2027 年建成投產,二期則預估 2029 年投入使用。

mram 現已成為半導體代工業界的前沿熱點:三星之前宣布計劃 2026 年量產 8nm 車用 emram;台積電近期也表示下一代 sot-mram 內存研發成功。ever spin 首席技術官遠藤哲郎稱,mram 內存市場規模已於 2022 年達到 300 億日元(約合 14.6 億人民幣)。

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