晶元的重要性已經不言而喻，數字化社會發展已經是大勢所趨，晶元扮演了一個底層基石的角色，其中晶元的重要性集中體現在晶元性能的重要性，這也是為何現在晶元製造工藝開始成為關注焦點的所在，因為提升晶元的製造工藝，是提升晶元性能的一條捷徑。
而之所以是一條捷徑，是因為還沒有找到其他更好的辦法，這樣的情況讓台積電和ASML迅速崛起，台積電可以提供最先進的製造工藝，而ASML可以提供支撐最先進工藝的光刻機。
雖然先進工藝用最短的時間解決了晶元性能的問題，但是很快，新的問題也暴露了出來，那就是成本，先進工藝無論是從晶元的設計還是製造，成本都成倍的提升，這種提升的幅度，即便是全球頂尖的晶元巨頭，也都難以承受，例如蘋果。
在晶元設計上，28納米工藝只需要4280萬美元，7納米則需要2.486億美元，3納米已經需要5.811億美元，2納米預計需要7.248億美元，所以一顆3納米晶元的設計成本，就是28納米工藝的近14倍，超40億人民幣。
在晶元製造上，28納米晶圓的價格是3000美元，7納米是10000美元，5納米是16000美元，3納米是超20000美元，3納米晶圓的成本是28納米的約7倍。這種成本所暴露的問題，在光刻機上也開始顯露。
ASML方面在今年就已經表示，在高NA EUV光刻機的下一代產品上，光刻技術似乎已經走到了盡頭。倒不是說技術上做不到，而是成本上難以承受，光刻機的NA可以繼續提升，但是成本將高出天際。
所以產業界開始尋找減少對先進工藝依賴的方法，目前已經取得了不錯的成績，即芯粒和先進封裝技術。我們現在的晶元，本質上是同質同構，也就是採用同樣的材料和同一種晶元架構。而芯粒技術，就是採用不同的晶元架構，在晶元製造的後端環節，利用先進封裝，再將不同架構的晶元集成到一起，形成一顆「大晶元」，所以芯粒也被叫做「小晶元」技術。
這兩種技術的結合，在一定程度上減少了先進工藝的採用，因為這種新技術不僅降低了成本，同樣可以做到晶元性能的提升，本質上來說，還是因為在晶元的設計環節起到了關鍵作用，而現在，復旦大學在晶元的底層技術，也就是晶體管技術上實現了突破。
簡單來說，復旦大學成功實現了CFET晶體管，該晶體管在當前的應用特點，是可以實現集成度的翻倍，這與提升晶元製造工藝的結果是一樣的，因為提升工藝的目的就是為了提升晶體管的集成度。
實際上，就在今年年中的時候，台積電方面就表示，將CEFT晶體管技術作為未來的發展重點，且將CFET作為GAAFET的接班人，GAAFET是3納米和2納米工藝的晶體管技術，3納米之前採用的是FinFET晶體管，英特爾方面也在大力發展CEFT晶體管。
因此我們就可以看到，將芯粒、CFET和先進封裝結合起來，就可以實現異質異構晶元，異質異構晶元與採用依賴先進工藝的同質同構的晶元相比，性能上並不佔有劣勢，但是成本上卻佔有極大優勢。
而受到影響最大的，應該就是ASML，因為市場對EUV光刻機的依賴性將會降低，事實上，在芯粒和先進封裝技術被應用後，這種對EUV光刻機的依賴性已經出現降低的現象，例如無論是英特爾的歐洲工廠還是台積電的美國工廠，都沒有採購新的EUV光刻機，而是通過移機的形式，即採用老工廠的舊設備，台積電甚至還將3納米工藝的產能縮減了約8成，7納米工藝的一座新廠也被取消。
正相反，台積電反而開始積極擴建28納米等成熟工藝工廠。這還只是同質異構晶元剛剛被應用的開始，而異質異構晶元量產後，這種趨勢將會更加明顯。而ASML或許始料未及，中國在晶元技術上的發展會如此之快，因為在CFET晶體管技術上，ASML的盟友比利時微電子也將此作為未來的技術發展方向，但現在復旦大學卻已經實現了。
目前我們在晶元製造前道的光刻機以及後道光刻機上，都實現了長足的進步，在芯粒技術和先進封裝上也跟上了時代的步伐，如今CEFT晶體管技術的實現，無疑將會帶領國產晶元進入到另一個高度，我們拭目以待。
