晶元性能提升1000%！天津大學立功，首枚石墨烯晶元誕生！
硅基晶元歷經了幾十年的發展，在指甲蓋大小的範圍內，支撐了上百億顆晶體管的布局，目前最頂尖的工藝也已經達到了3nm，但傳統半導體材料的缺陷也直接暴露。
在晶元步入到7nm階段之後，每提升一個製程工藝，在性能方面提升極其有限，但在成本上卻大幅的增長，這也導致很多的企業並不會去選擇最頂尖的技術，晶元廠商的成本也很難收回來。
而這恰巧也給了中國晶元突破的機會，目前國內除了在傳統的硅基晶元上發力之外，將更多的重心放在了全新半導體材料的研發上，而目前石墨烯材料的呼聲最高，也被認定為中國彎道超車的希望。
如今在該領域的研發再度傳來好消息，天津大學科研團隊再次立功了，該團隊使用特殊的熔爐，實現了在碳化硅晶片上生長石墨烯，成功製備了外延石墨烯材料，也就是將當成石墨烯附著在了碳化硅晶體表面。
意味著首顆石墨烯製成的功能半導體誕生，和傳統的硅基晶元相比起來，石墨烯材料將晶元性能提升了1000%，這將為「中國芯」的彎道超車帶來了更多的可能性。
以往我們只聽說石墨烯材料如何的好，但並沒有實質性的產品給出，這一次完全不一樣了，技術得到了進一步的認證，單層碳原子構成的石墨烯，在導電性和機械強度上都非常出色，很早就被認定為是理想的下一代半導體材料。
更為關鍵的是，中國在這方面的技術研發上，一直都處在世界頂尖水平，3nm的晶元所處的位置相當尷尬，要說用在數碼產品上性能又過剩，但要用在高端的AI等領域根本就不夠看，需要數萬顆才能滿足AI大模型的訓練。
未來註定是一個智能的時代，就好比現階段各大車企研發的無人駕駛技術，就需要龐大的演算法來支撐其成熟度，看似目前的晶元性能足夠用，但仍然無法保證萬無一失。
而美國之所以著急，想盡一切辦法打壓中國半導體產業，就是因為現有的晶元技術，不足以支撐所謂的「科技霸權」，只能採用這樣的手段，為自己爭取更多的時間，但顯然這起到了反效果。
拜登團隊的打壓限制，非但沒有限制住中國半導體，反倒讓我們下定決心自主搭建產業鏈，華為麒麟9000S晶元的回歸，已經在很大程度上打擊到了美國。
如今中國在石墨烯半導體材料上打開了突破口，很有可能會成為中國半導體持續發展的轉折點，當然在石墨烯晶元還未完成量產之前，我們顯然不能沾沾自喜，在低調中發展才能更加的牢固。
自主研發晶元，可不僅僅只是華為一家企業的事，國內有能力的企業都應該聯合起來，打造一條屬於自己的產業鏈，替換掉含美的一切技術，這樣才不會在未來的競爭中落於下風，對此你們是怎麼看的呢？
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