目前邏輯晶元已經進入了3nm工藝，且按照最新的計劃，台積電、三星、英特爾在今年還會進入2nm工藝。
但是，在DRAM內存晶元上，卻依然還在10nm以下，一些DDR3、DDR4的晶元甚至採用20nm及以上的工藝製造，最新的DDR5晶元，很多也是採用15nm、13nm工藝製造。
為什麼這些內存企業不追求先進工藝？
主要原因，在我看來就是因為先進工藝門檻高，研發投入也大，再加上整個市場之前就一直被三星、SK海力士、美光這三大企業壟斷，這三大企業佔了80%以上的份額。
所以他們沒太多動力去搞什麼新技術，拿著舊技術一樣賺錢，反正定價權在他們手上，沒哪家企業能夠和他們競爭，他們何必去研發，去投入呢？
不過，隨著中國企業入局之後，形勢就變了。
中國企業研發出了DRAM內存，前期技術不太先進，主要生產DDR3、DDR4晶元，但隨著產能不斷提升，市場份額越來越高，那麼前三大企業的定價權被打破了。
最後前三大企業，不得不在2024年放棄了DDR3的生產，然後最近又表示要放棄DDR4的生產，專攻DDR5及以上內存晶元了。
但這樣就保險了么？肯定是不行的，因為中國企業也能製造DDR5晶元了啊。
所以這三大企業沒辦法了，不能再擠牙膏了，近日有機構報道稱，三大存儲晶元廠商，計劃推進新的節點工藝了，一季度就會推出D1c工藝（10nm）的DDR5產品，由SK海力士推出。
然後在2026年或2027年時，將縮小到10nm以下工藝，正式進入個位數的DRAM晶元工藝時代。
可見，在沒有激烈競爭的市場，廠商們真的就是沒什麼動力去更新技術，就是想辦法用老舊的技術來收割消費者，只有當市場有攪局者出現時，整個行業競爭激烈，才會推進技術不斷的前進。
而中國廠商的加入進來，讓美韓廠商有了巨大的壓力，所以不敢再擠牙膏了，而這也是消費者的幸事啊，大家能夠以更實惠的價格，買到更高品質的產品。
