以這個能夠控制開關速度的驅動電路為例
如圖，D1是驅動電阻Rg2上並聯一個快恢復二極體，使關斷時間減小同時減小關斷損耗，Rg1可以限制關斷電流，R1為mos管柵源極的下拉電阻，給mos管柵極積累的電荷提供泄放迴路。（ 根據MOSFET柵極高輸入阻抗的特性，一點點靜電或者干擾都可能導致MOS管誤導通，所以R1也起降低輸入阻抗作用，一般取值在10k~幾十k ）
Lp為驅動走線的雜散寄生電感，包括驅動IC引腳、MOS引腳、PCB走線的感抗，精確的數值很難確定，通常取幾十nH。
驅動電阻Rg的計算：
驅動走線的寄生電感和MOS管的結電容會組成一個LC振蕩電路，如果驅動晶元的輸出端直接到柵極的話，在PWM波的上升下降沿會產生很大的震蕩，導致MOS管急劇發熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯電阻，降低LC振蕩電路的Q值，使震蕩迅速衰減掉。
驅動電阻下限值：
當mos開通瞬間，Vcc通過驅動電阻給Ciss=Cgs+Cgd充電，如上圖所示(忽略下拉電阻R1的影響)。根據LC震蕩電路模型，可以列出迴路在復頻域內對應的方程。
求解出I g ，並化為典型二階系統的形式
再根據LC振蕩電路求解二階系統阻尼系比
那麼根據LC振蕩電路的特性，為了保證驅動電流ig不發生震蕩，該系統要處於過阻尼的狀態；即阻尼比必須大於1，則方程式解得Rg=Rg1+Rg2的下限範圍
驅動關斷電阻上限值：
MOS 管關斷時，Vds 產生的高 dv/dt，會使寄生電容 Cgd 放電形成較大電流（Ic=Cdv/dt）。該電流 Igd 流經驅動電阻 Rg ，在 GS 間產生電壓 Vgoff=IgdxRg。為防止誤導通，Vgoff 不能超過 MOS 導通門檻電壓 Vth，
那麼列出不等式
則解得驅動電阻Rgoff=Rg1的取值上限
實際設計中，先按避免驅動電流震蕩算出 Rg1+Rg2 下限，再以防關斷誤導通確定 Rg1 上限。最後結合損耗、電磁干擾（EMI）、橋式拓撲死區控制等因素，通過實驗調試優化，確定理想的驅動電阻參數 。
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