筆者之前一遍關於晶元設計的華為四重曝光技術專利文章，提到新品手機有可能用到新專利的5nm晶元，不過這篇幾乎全平台都被下架了，這明顯不是平台問題，其中原因懂得都懂。從專利到實際晶元量產，還需要經歷漫長的研發之路。
一般而言，最先進的DUV光刻機通過多重曝光技術能夠生產出7納米晶元，但成本和良率較高。然而，實現7納米、5納米乃至更先進工藝的晶元通常需要依賴EUV光刻機技術。但現階段由於EUV光刻機的供應受限，購買不到最先進的DUV設備，因此要實現7納米和5納米工藝幾乎是不可能的。
先進的DUV光刻機一般採用的是193納米波長的深紫外光源，已被應用於7nm（N7)、7nm、14納米及更早的工藝。然而，隨著工藝的不斷微縮，DUV的能力已經逐漸達到瓶頸，因此像台積電和三星等廠商都開始引入極紫外光源的EUV光刻工藝。EUV的波長僅為13.5納米，相較於193納米的DUV光刻機，其製程能力提升了十倍以上，為未來的工藝微縮打開了更廣闊的空間。
就以華為Mate 60 Pro搭載的麒麟9000S處理器為例，雖然華為並未公布其製造工藝，但根據國內技術水平和生產設備，採用5納米工藝幾乎是不可能的。然而，有研究表明，麒麟9000S晶元的性能接近甚至達到了7納米製程，可能是由於晶體管分布較為密集、排列整齊所致。或者，華為採用了3D晶元堆疊技術，將兩塊14納米製程的晶元堆疊在一起，發揮出了與7納米製程晶元相當的性能。但這種方式生產的晶元相對容易被辨識，因此可能性不大。
關於「自動對準四重圖案化半導體裝置的製作方法及半導體裝置」專利技術公示後，目前的理論解析來看，這一技術可以通過疊加多次曝光過程，利用現有先進的DUV光刻機設備實現對晶元電路的精確構建。也就是在沒有EUV光刻機的情況之下生產出較為先進的晶元。
台積電在2017年曾試圖實現多重曝光技術，但良率過低、成本過高，最終放棄了這一嘗試。假設一次曝光的良率與台積電相當，達到90%，經過四次曝光後的晶元良率為0.9×0.9×0.9×0.9，這說明華為要實現四重曝光技術的難度有多大，成本將會相當高昂。早期台積電採用的是三重曝光和刻蝕，但發現良率和效率都較低。對於先進邏輯工藝後段，存在著12層以上的金屬連接線，這樣的工藝流程要求並不可接受。因此，明智的選擇是採用EUV的一次性曝光和刻蝕。
四重曝光方式並沒有解決晶元製造過程中的瓶頸問題，也不值得過多討論。當然，通過技術手段可以提高良率、降低成本，但絕不能超過EUV光刻機本身生產的晶元。可以說，四重曝光的良率低、性能差、功耗大、成本高是不爭的事實。華為的四重曝光技術面臨著較高的技術挑戰和成本壓力，尚未達到超越EUV光刻機製程的水平。
年初，ASML撤回了兩款浸沒式2000i DUV光刻機的出貨許可，兩台Twinscan NXT:2050i和Twinscan NXT:2100i型號光刻機無法交付給國內廠商，原因是一項出貨許可被撤銷。這明顯能感覺到ASML已經無法供應先進的DUV光刻機給中國用戶。儘管如此，1980i及之前的光刻機仍然能夠自由出貨，雖然無法滿足先進晶元的生產需求，但卻可以滿足成熟製程晶元的需求。所以，ASML在2024得前兩個季度是可以向中國市場出售較老版本DUV光刻機。
綜合考慮目前現狀，這項新專利「自對準四重圖案化（SAQP）半導體裝置的製作方法以及半導體裝置」真正轉化為實現量產新晶元過程還會較長的一段路要走，華為P70 Pro，華為Mate70 Pro等產品使用的晶元應該不會用到專利中提到的技術。但有沒有比麒麟9000S更進化的晶元，還是有一定希望的，但性能提升不會太明顯。
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