據韓國媒體ZDNet Korea 2月24日報道稱，三星電子近期已與中國存儲晶元廠商簽署了開發堆疊400多層NAND Flash所需的「混合鍵合」（Hybrid Bonding）技術的專利許可協議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產品（430層）開始使用該專利技術來進行製造。
除了三星，ZDNET Korea還強調，韓國另一大存儲晶元巨頭SK海力士的下一代NAND快閃記憶體晶元的核心專利，也需要依賴中國，預計SK海力士也將與中國存儲晶元廠商簽署專利協議。
業內人士指出，目前掌握3D NAND混合鍵合關鍵專利的公司主要來自美國和中國，而三星、SK海力士等韓國半導體企業幾乎無法繞開中國半導體企業的專利布局。
與此同時，市場研究公司Gartner的最新數據顯示，三星電子正面臨DRAM和NAND快閃記憶體盈利能力下滑的困境，業績表現欠佳。多重因素疊加，使得三星不得不正視自身在專利方面的局限性，並與中國半導體企業達成合作，以提升其存儲板塊的競爭力。
隨著中國半導體企業的崛起，韓國多家半導體企業已經在專利布局上落入下風。集微諮詢發布的《2024年中國大陸半導體製造企業專利實力榜單》顯示，中芯國際、長鑫存儲、長江存儲、華虹宏力等企業名列前茅。在國際視野榜單中，長鑫存儲和長江存儲分別位列第一、第二位，其多元專利布局體現出積极參与國際行業進步的戰略眼光。
知識產權法律公司Mathys&squire的最新報告也顯示，2023-2024年中國專利申請數量猛增42%，從32840件增至46591件，同比增長42%，在所有地區中增長最為強勁，超過包括韓國在內的其他地區。這表明中國半導體行業在中美技術競爭的背景下展現出強大韌性。
面對增長困境，韓國半導體行業也在反思。據韓聯社23日報道，韓國科技評估與規劃研究院（KISTEP）發布的一份調查顯示，韓國在大多數半導體技術領域已被中國趕超。例如，在高集成度、低阻抗存儲技術方面，韓國得分為90.9%，低於中國的94.1%；在高性能、低功耗AI半導體領域，韓國得分為84.1%，落後於中國的88.3%。此外，在功率半導體和新一代高性能感測技術方面，韓國也均落後於中國。
與此同時，韓國半導體行業的「最後防線」——HBM板塊也面臨來自中美的壓力。美光目前已向英偉達的AI晶元供應8層HBM3E晶元，儘管其市場份額仍遠低於12層HBM3E晶元的領導者SK海力士，但領先於三星電子的HBM產品和市場進度。近日還有消息指出，美光即將開始量產其12層堆棧的HBM，並將其供應給英偉達。然而，美光在趕超了三星電子之後，如今還正努力在今年晚些時候幾乎與SK海力士同步量產16層HBM3E。
值得注意的是，3月6日美光突然宣布關鍵人事任命，其中台積電前董事長劉德音加入董事會備受關注。業內人士分析，劉德音豐厚的履歷能夠在晶元製造、海外建廠、AI技術與市場判斷等方面給予美光強援。近兩年面對激烈的市場競爭和複雜環境，美光頹勢不斷顯現，不僅在先進位程上與台積電等差距不斷拉大，更是在印度、墨西哥等地海外建廠上面臨地緣政治的風險，劉德音在技術革新與風控方面是業內的頂尖專家，然而在美光如此內外交困的背景下加盟能否力挽狂瀾，仍有待時間的檢驗。
國內方面，專家指出，中國Deepseek的出現也將對韓國HBM產業構成重大衝擊。Deepseek證明，AI模型可以在較低規格的HBM支持下實現高性能。如果越來越多的AI企業效仿Deepseek，採用低成本、低規格晶元來實現高性能AI模型，韓國高端HBM的市場需求將受到更嚴重的衝擊。中國企業儘管在HBM領域依然落後韓國企業，但正加速追趕，試圖在HBM等高附加值領域實現突破。此外，中國企業在AI晶元設計、封裝測試等領域的進步，也為HBM的國產化奠定了基礎。
韓國半導體企業在複雜的局勢下，正面臨著技術趕超和市場競爭力上的雙重壓力。而這對於中國半導體行業而言是一個重大的機遇，儘管美國政府在半導體領域施加了全方位的壓力，但憑藉自身的技術積累和突破，中國企業或將能捕捉更多機會。
