本報訊 「在國創中心建設的基礎上，要將第三代半導體作為我省首批十大產業鏈之一，實現山西區域中心對技術鏈條及產業鏈條的帶動作用。」10月11日，作為國家第三代半導體技術創新中心（山西）的牽頭建設單位，中國電子科技集團第二研究所（以下簡稱「中國電科二所」）有關負責人介紹說，國家第三代半導體技術創新中心（山西）已邁入實際運行階段，科研團隊正圍繞核心關鍵技術展開重點攻關，並取得了階段性進展。
據介紹，國家第三代半導體技術創新中心是按照「一體統籌規劃、多地分布布局、協同聯動創新」和「存量帶動增量」的建設思路，在科技部的統一指導下，由中國電科與相關省市協商設立，在北京、深圳、南京、蘇州、湖南、山西等地布局建設六個區域中心，有效銜接政府支持和企業需求，聯合行業龍頭企業，協同全國50餘家科研機構，初步形成一個「核心+基地+網路」的創新格局。9月23日，國家第三代半導體技術創新中心（以下簡稱「國創中心」）在北京市召開了第一屆理事會第一次會議，標誌著國創中心正式邁入實際運行階段。
今年6月，國家第三代半導體技術創新中心（山西）正式揭牌。國創中心的山西區域中心正是由中國電科二所牽頭建設，聯合省內優勢機構和高校，針對國家第三代半導體戰略需求，結合我省經濟轉型發展要求，集聚創新要素，深入開展第三代半導體關鍵技術和共性技術研發，將建設成為重大關鍵技術的供給源頭，產業集聚發展的創新高地，技術服務、成果轉化與創新創業的眾創平台。
「按照科技部和中國電科要求，國創中心各省市平台陸續進入實體化運行模式。我們已聯合國創中心（山西）區域的其他共建單位，設立混合所有制實體化公司，主要發揮兼具科研院所和公司的特性，廣聚力量，研發核心技術，孵化科技成果，引領產業發展。」據中國電科二所有關負責人介紹，作為我省確定的首批「鏈主」企業，該所正以第三代半導體構建千億級產業集群為契機，打造創新發展新動能，推動我省成為第三代半導體技術創新和產業發展的引領者。
9月中旬，央視財經頻道《經濟信息聯播》欄目，已專題報道了中國電科二所在第三代半導體裝備領域取得的重要突破。原來，第三代半導體碳化硅產業鏈中最為重要的一個環節就是碳化硅襯底材料的製備，這種材料需要在2500攝氏度以上的高溫以及真空環境中生長。由於晶體生長工藝要求苛刻，因此對碳化硅單晶生長爐裝備提出了很高的要求。十年前，中國電科二所已開始涉足第三代半導體碳化硅裝備的研發，先後研發出碳化硅單晶生長爐、碳化硅粉料合成爐、碳化硅晶體退火爐、籽晶粘接爐等碳化硅產業鏈中的多款核心裝備。
目前，按照山西區域中心的發展目標，中國電科二所已聯合太原科技大學、中北大學等共建單位，按照「揭榜挂帥」方式，針對第三代半導體研發過程中的11項核心關鍵技術展開重點攻關，並取得階段性進展。
其中，激光剝離科研團隊已掌握激光剝離技術原理與工程基礎，基於工藝與裝備協同研發，實現了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離；晶圓鍵合設備樣機研製成功，針對不同應用對象的要求，完成了系列化產品的開發；碳化硅單晶生長爐已完成智能化8英寸碳化硅單晶生長爐定型的設計工作，實現了外購件國產化替代；碳化硅單晶生長工藝研究，已生長出6英寸厚度大於35毫米的合格碳化硅晶體。（郜 蓉）
