消息稱LG啟動混合鍵合機開發，追逐未來HBM內存製造關鍵技術

IT之家 7 月 13 日消息，韓媒 SEDaily 今日報道稱，LG 電子下屬的生產技術研究所 (PTI) 已啟動混合鍵合設備開發，目標在 2028 年實現大規模量產。

混合鍵合未來將毫無疑問地成為 16+ 層堆疊 HBM 內存堆棧構建的關鍵技術，其採用無凸塊的銅-銅鍵合，縮小各層 DRAM Die 間距，能在有限的高度內實現更高層數堆疊，且具備更低發熱。

目前在 HBM 內存混合鍵合機台開發方面，Besi 和應用材料處於領先地位，而韓國兩大內存企業 SK 海力士和三星電子有實現關鍵設備供應本地化的需求，LG 電子有望在這部分市場分得一杯羹。

另一方面，LG 電子已定下強化 AI 與 B2B 業務的願景，混合鍵合設備同時符合這兩大目標。