台積電介紹其CFET晶體管技術：已進入實驗室，距離量產仍很遙遠

近日英特爾在比利時安特衛普舉行的ITF World 2023上，概述了幾個關鍵領域的最新發展，其中之一便是英特爾未來將採用的堆疊式CFET晶體管架構。作為現階段半導體製造技術的龍頭，台積電（TSMC）也在2023歐洲技術研討會活動中，介紹了其未來的GAAFET及CFET晶體管技術。

據AnanadTech報道，台積電透露其CFET晶體管已經進入到實驗室，正在進行性能、效率和密度的測試，與GAAFET相比，這幾方面都會更有優勢。不過CFET需要一些額外的製造步驟，才能使晶元按預期工作。CFET晶體管將n和p兩種MOS器件相互堆疊在一起，需要使用高精度和高功率的High-NA EUV光刻機來製造。

台積電正在研究各種晶體管設計類型，這些研究項目需要很長時間，而CFET技術可能是未來最有可能的候選之一，不過現階段不能說已經超越Nanosheet，而且CFET晶體管需要將新材料整合到製造過程中，從而導致對應的製程節點需要更大的投資。唯一肯定的是，台積電在2nm工藝起會引入GAAFET晶體管技術。

台積電使用FinFET晶體管已經有十年了，期間經歷了五代工藝，正常來說GAAFET晶體管應該也會使用幾代產品，至於CFET晶體管距離大規模量產仍然很遙遠。