美光科技第 5 代 10nm LPDDR5X 內存晶元接近量產，能效提高 15%

IT之家 11 月 4 日消息，BusinessKorea 報道稱，美光科技最近已將其基於第 5 代 10 納米 (1b 或 12 納米至 13 納米) 工藝的低功耗雙數據速率 5X (LPDDR5X) 樣品送交給各大智能手機製造商。

美光沒有透露新品的具體規格，但表示與上一個版本相比，新品的能效提高了 15%，單個區域存儲的比特位數提高了 35%。

IT之家曾報道，目前三星電子、SK 海力士、美光三大廠商佔據了全球 DRAM 市場的 90% 以上份額。據市場調查企業 Omdia 透露，三星電子第二季度的市場佔有率為 43.3% 位居第一，SK 海力士 (28.1%) 和美光 (23.6%) 緊隨其後。

去年 1 月，美光在三星電子之前開始量產第 4 代 1a DRAM 晶元，它在 2020 年底宣布推出了業界首款 176 層 NAND 快閃記憶體，當時三星電子和 SK 海力士還在專註於 128 層 NAND 快閃記憶體。

美光 5 月份宣布，將在 2022 年開始大規模生產 1b DRAM 晶元。考慮到三星電子和 SK 海力士計劃在明年年初批量生產 1b DRAM 產品，美光極有可能因此成為首個量產 1b DRAM 的公司。

值得一提的是，三星電子和 SK 海力士將 EUV 光刻技術應用於 1a DRAM 產品，但美光將繼續使用氟化氬激光技術生產 1b DRAM，該公司計劃從第 6 代 10 納米晶元才會開始應用 EUV 工藝。