晶元製造是非常複雜的，整個晶元製造過程中，需要幾百種設備，幾百道工序。
其中比較核心的有光刻、刻蝕、薄膜沉積，這三個步驟，都對應著不同的設備，比如光刻機、刻蝕機，薄膜沉積設備等。
光刻在最前面，用光在硅晶圓上形成電路圖案模版，刻蝕環節則根據這一模版對下層材料進行選擇性去除，以構建出複雜的電路結構。
而薄膜沉積則是在矽片上逐層生長材料，從而搭建晶元的電路架構，這三個關鍵環節完成了，基本上晶元製造也就成型了。
目前在光刻機上，我們的國產設置確實落後不少，如果和ASML相比，落後個10年是有的，甚至更多。
但在刻蝕、薄膜沉積上，卻都達到了頂尖水平，特別是國內有一家半導體設備公司，在這兩塊上，都具備全球競爭力，在刻蝕機上，甚至達到了3nm的水平。
這家企業就是中微公司，由尹志堯博士於2004年創辦，至今不過20來年時間。
剛開始的時候，公司主要聚焦於等離子體刻蝕設備的研發，並於2007年就推出了中國首台電容性等離子體刻蝕設備，打破國外壟斷。
以前，美國對刻蝕機這樣的設備也是有限制的，不準先進的賣給中國的，但中微突破了後，限制就取消了，因為再禁毫無意義，反而會讓美企失去市場。
後來，中微不斷的努力，推出了眾多的刻蝕機，真正達到全球頂尖水平，並且也打入了台積電供應鏈，其精度也達到了3nm。
不僅如此，中微公司還表示，其元件全部實現了100%的國產，完全的自主可控，不用擔心卡脖子，全是國產供應鏈。
而除了刻蝕機之外，中微在薄膜沉積設備、MOCVD設備上，也達到了全球頂尖水平，特別是氮化鎵基LED MOCVD設備，全球領先。
可見，中國企業一樣能夠製造出先進的晶元設備，也希望有越來越多的企業，能夠像中微一樣，如果大家的水平都全球頂尖，都達到3nm，我們可以全部自己搞定，那還怕什麼禁令，還有什麼禁令啊。
