张忠谋确认大举赴美建厂，意味着台积电的时代结束了

台积电赴美建厂，一直争议很大，尤其是张忠谋，多次明确反对在美建厂，甚至还表示在美建厂是我们太天真了，台积电在美建厂必败。

但就在近期，风向突然变了，一直反对在美建厂的张忠谋，明确表示台积电将大举赴美建厂。根据张忠谋的表态可知，台积电将扩大在美建厂规模，5nm芯片的月产能，将从2万片提升到2.2万片。

还将在该工厂旁，投资十几亿美元建设高精端晶圆工厂，台积电50%的芯片产能将转移到美。

可以说，张忠谋确认台积电将大举赴美建厂后，这意味着台积电的时代结束了，主要因为以下几点。

首先，台积电订单减少。

台积电是芯片制造技术最先进的厂商，所以刘德音公开表示，失去华为订单不会给台积电带来影响，空出来的产能将会由其它厂商的订单填补。

刘德音敢如此表态，是因为台积电有接不完的订单，大量的订单都在排队等待，台积电不为用订单发愁。

如今情况变了，由于产能持续扩大以及消费下滑，先进工艺芯片的产能过剩了，台积电7nm工艺的产能下滑尤为厉害。

消息称，台积电明年的产能利用率将会下跌至80%，7nm、5nm、4nm等工艺的产能都将下滑。

订单减少，产能利用率降低，台积电就开始为订单发愁，所以既要保住美芯订单，还要争取更多的美芯订单。

其次，技术领先优势缩小。

在芯片制造技术方面，台积电原本是遥遥领先，尤其是在7nm、5nm等先进芯片方面，不仅产能高，关键是良品率也高，高通、英特尔等厂商都将订单转移到台积电。

但进入3nm芯片时代后，情况就发生了变化。

三星已经正式量产了3nm芯片，但台积电3nm芯片量产仍没有准确的消息。

另外，三星明确表示将会在2023年量产GAA工艺的3nm芯片，而台积电仍在采用传统工艺量产3nm芯片。

虽然台积电也在研发GAA工艺，到2025年才会投产使用。

要知道，三星GAA工艺的3nm芯片，其性能提升超过21%，功耗降低45%，但台积电3nm芯片的性能提升仅为11%，功耗降低也在25%左右。

同时，三星已经与美企合作提升3nm芯片的良品率了。

也就是说，在3nm芯片方面，台积电不占优势，这也是刘德音一直强调台积电追求技术领先，追求更高能效的原因。

最后，ASML不再优先供货先进光刻机。

台积电能够成为全球芯片制造企业的一哥，除了自身技术先进外，也因为ASML优先供应了大量的先进光刻机。

例如，ASML向台积电优先提供了大量的EUV光刻机，占全部产能的一半，三星等厂商想要更多EUV光刻机却没货。

但如今变了，刘德音称台积电将会在2024年获得全新一代High NA EUV光刻机，而ASML表示该High NA EUV光刻机将会在2023年某个时间点交付。

也就是说，ASML已经不再将最先进的光刻机，优先交给台积电了，这对台积电而言，也不是一个好消息。

毕竟，全新一代High NA EUV光刻机主要用于生产制造2nm及以下制程的芯片，交付时间和数量决定了2nm芯片进度和产能。

也正是因为这些变化，才说张忠谋确认大举赴美建厂，意味着台积电的时代结束了。