該技術用鐵電氧化鉿 (HfO₂) 元件替代傳統電容器，可在無需電源的情況下實現持久存儲，同時保持納秒級的訪問時間。這種混合技術解決了高速 DRAM 與 NAND 閃存等存儲級內存之間的性能差距。
與英飛凌和奇夢達之前在歐洲開展的 DRAM 合資企業未能滿足商品內存經濟性要求不同，FMC 瞄準的是重視持久性和能效的專業應用。基於 HfO₂ 的方法解決了之前使用鋯鈦酸鉛 (PZT) 的 FeRAM 內存實現的局限性，這些內存無法擴展到兆位元組以上的容量。
現在，原型展示了千兆位範圍的密度，與美光、三星、SK 海力士等公司製造的傳統 DRAM 的 10 納米以下製造工藝兼容。通過消除刷新周期，DRAM+ 與傳統的單晶體管/單電容器 DRAM 單元相比，可大幅降低靜態功耗。主要應用包括需要持久模型權重的 AI 加速器、具有即時啟動要求的汽車 ECU 以及功率受限的醫療植入物。
