華為研發芯片的實力很強，海思半導體的前身華為集成電路設計中心早在1991年就已經成立了，也就是說華為在芯片領域已經探索了30年，所以華為海思也一度成為了國內第一大半導體企業。
如果沒有美方的制裁，華為海思芯片在全球市場將是不可忽視的存在，是全球前十大半導體企業，但由於美方修改芯片規則，導致台積電無法自由供貨，海思麒麟芯片也只能被迫停產了。
原因很簡單，因為中國大陸的半導體製造業發展比較慢，雖然台灣省的台積電掌握着全球最先進的晶圓工藝，但依然擺脫不了美方的關鍵技術，因為ASML的光刻機是必需品。
所以經歷了這一遭之後，華為在半導體領域有了新的想法，余承東此前表示，華為沒有進入芯片製造領域是一個錯誤，任正非也號召華為人勇攀珠峰。
所以在那之後，華為就全面布局半導體領域了，不僅開始自研更多種類的芯片，還研發新材料和終端設備，並且還成立了哈勃投資公司，在半導體領域重金投入，以完善國內的半導體產業鏈。
華為之所以這麼做，是因為認清現實了，任正非曾提到，未來兩年能不能突圍好不好說，所以接下來都不能再講故事了，而是要講現實，要「向上捅破天向下扎到根」。
半導體行業不像其它產業，是無法快速實現突破的，因為很多核心技術和專利都被美企掌握着，未來想要掌握主動權，只能聯合國內的產業鏈實現突破，擺脫非美技術生產芯片。
同時，華為還選擇了「換道超車」的芯片路線，通過研發新材料和新技術，打造下一代芯片掌握主動權，簡而言之就是避開硅芯片路線，採用全新的芯片技術。
首先是公布堆疊芯片技術專利，今年上半年華為公布了堆疊芯片技術，可以在不改變芯片工藝製程的情況下，讓芯片的性能實現成倍提升，這樣就可以繞開缺少先進光刻機的問題。
根據外界的爆料，華為計劃最快在明年推出堆疊芯片，屆時該芯片會應用在PC、服務器等產品上，實現用成熟工藝生產高性能芯片的可能。
其次是全面投入光電芯片領域，以掌握下一代芯片的核心技術，因為光電芯片目前還沒有太大的突破口，所以完全可以繞開美方技術，實現真正的核心技術自主掌控。
而且光電芯片還有很大的優勢，更適合應用於5G、物聯網等領域，因為具有更快的速度，同時傳輸載量也更大，是公認的下一代芯片技術突破口。
而為了在光電芯片領域掌握絕對領先的優勢，華為海思早已布局多年，並且收購了多家國外相關公司，還計劃在英國建設全球研發中心，目的就是為了在光電芯片領域繼續突圍。
華為不僅在持續加大研發投入，還在全球廣招芯片相關領域的博士，發佈「天才少年」計劃挖掘更多有潛力的人才，幫助華為突破難題。
相信在華為的努力攻克下，未來海思在光電芯片領域一定能取得耀眼的成績，雖然短期來看華為的危機還未解除，但其實只需要十年，華為自研芯片就會迎來嶄新的時代。對此你怎麼看呢，歡迎評論、點贊、分享。
