中國攻克光刻機光源，技術有別於阿斯麥

“中國突破了自主生產先進芯片的障礙！”，最近，《南華早報》發布的一篇報道，公布了一個振奮人心的消息，中國在西方拚命“卡脖子”的光刻機領域，取得了一項重要的研究成果。

據悉，中國科學院上海光學精密機械研究所的研究員林楠，日前帶領着一支研究團隊，成功建立了一個euv光源實驗平台，而且所取得的運行參數，已經達到了國際前列。

而帶領團隊取得這一研究成果的林楠，曾在荷蘭光刻機巨頭阿斯麥公司負責光源技術。

2021年，也就是美國逼迫盟友，在芯片領域限制對華出口之時，他毅然選擇回國，幫助中國尋求破局之法。

光刻機是製造高精度芯片的關鍵

更重要的是，這次林楠團隊的成果，讓最喜歡污衊中國“偷竊技術”的西方，也無話可說了。

因為，阿斯麥公司採用的是二氧化碳激光驅動技術，而林楠團隊卻是研究固體激光驅動技術，成功開發出lpp-euv光源。

當然，中國跟西方的差距依舊存在，當前商用二氧化碳激光驅動的euv光源轉換效率，大約在5.5%左右，這次林楠團隊所研發的固體激光驅動技術，光源轉換效率大約在3.42%，大概落後西方四五年。

不過，還記得以前，西方曾諷刺中國大陸的芯片技術，起碼落後西方50年，但隨着這些年的發展，這個差距在他們口中，慢慢縮減到了20 年、15年，乃至現在開闢新的賽道，再次縮短了與西方的差距。

全球能製造euv光刻機的只有阿斯麥公司

而且，這遠不是林楠團隊的極限，根據研究過程中印證出的結果，他們認為這次所建的光源實驗平台，理論上的最大轉換效率可能會接近6%，達到當前阿斯麥公司的商用水準。

面對中國自主研發的成果，阿斯麥公司也倍感壓力，他們自然知道林楠的研究水平，所以早早預料到了中國在製造euv光源方面，很可能會迎來成果。

然而，他們的嘴還是很硬的，堅持認為中國哪怕製造出了euv光源，也需要很多年才能製造出先進光刻機。

原因也很簡單，euv光刻機作為世界頂級的光刻機設備，想要自主研發製造，不只是要攻克光源技術，比如美國也研究出來了光源技術，但真正能製造出euv光刻機，放眼全世界也只有阿斯麥公司。

美國圍堵中國發展

這也是為什麼，美國手段頻出，也要施壓荷蘭政府限制阿斯麥公司，不許其對華出售先進光刻機。因為西方相信只要阿斯麥不賣，就能一直在芯片領域，卡住中國的脖子。

只不過，過去的歷史一次次證明，美西方越是打壓封鎖，中國自主創新的腳步就會越快；美西方越是拉攏盟友，中國的朋友圈就會越擴越大。

從航天到民生，從太陽能到芯片，如今，中國在科研領域取得的一道道成果，沒有一樣不是靠鬥爭拼出來的。

相信在14億人的共同努力下，沒有困難是打不倒的，沒有技術是突破不了的。5年、10年，技術總會迎來突破的那一刻，中國人的奮鬥之路，絕不會因為西方的脅迫而動搖。