三星电子抢建 10nm 第七代 DRAM 测试线，力图重夺市场领先地位

it之家 12 月 19 日消息，韩媒 business korea 昨日（12 月 18 日）发布博文，报道称三星电子正积极投资建设 10 纳米级第七代（1d）dram 测试线，旨在提升良率，扩大与竞争对手的技术差距，并力争在明年重新夺回 dram 市场的领先地位。

消息称三星已于今年第四季度开始在平泽第二工厂（p2）建设 10 纳米级第七代 dram 测试线，又称“one path”线。

该测试线预计将于 2025 年第 1 季度全面建成，用于测试新产品的量产潜力，并提升良率。尽管平泽 10 纳米级第七代 dram 工厂的确切规模尚未确定，但通常安装测试线每月可处理约 10000 片晶圆。

it之家援引该媒体报道，三星准备同步推进第七代 dram 测试线的建设与第六代 dram 的量产准备，计划从 2025 年初开始在平泽第四工厂（p4）引进设备，生产 10 纳米级第六代 dram，并力争在明年 5 月获得内部量产批准（pra）。

在人才配备方面，三星为顺利推进 1c dram 的量产，还将从华城工厂派遣 dram 相关人员到平泽工厂。

该媒体解读认为，三星此举是一项积极的投资策略，在经历了 hbm 市场份额被 sk 海力士超越，以及 10 纳米级第六代 dram 开发速度落后的双重打击后，三星正全力以赴，希望通过提前布局下一代产品，在明年重夺市场“霸主”地位。