该技术用铁电氧化铪 (HfO₂) 元件替代传统电容器，可在无需电源的情况下实现持久存储，同时保持纳秒级的访问时间。这种混合技术解决了高速 DRAM 与 NAND 闪存等存储级内存之间的性能差距。
与英飞凌和奇梦达之前在欧洲开展的 DRAM 合资企业未能满足商品内存经济性要求不同，FMC 瞄准的是重视持久性和能效的专业应用。基于 HfO₂ 的方法解决了之前使用锆钛酸铅 (PZT) 的 FeRAM 内存实现的局限性，这些内存无法扩展到兆字节以上的容量。
现在，原型展示了千兆位范围的密度，与美光、三星、SK 海力士等公司制造的传统 DRAM 的 10 纳米以下制造工艺兼容。通过消除刷新周期，DRAM+ 与传统的单晶体管/单电容器 DRAM 单元相比，可大幅降低静态功耗。主要应用包括需要持久模型权重的 AI 加速器、具有即时启动要求的汽车 ECU 以及功率受限的医疗植入物。
