9月21日， 美國初創公司Zyvex Labs宣布，推出世界上最高解析度的光刻系統 -- ZyvexLitho1。該工具使用掃描隧道顯微來實現原子精度圖案化和亞納米解析度。
其實這個技術原理很簡單，我們可以簡單的理解為在掃描隧道顯微鏡工作時，針尖電流通過Si-H表面，可以打斷Si-H鍵，從而選擇性的蝕刻掉Si-H表面的氫原子，獲得暴露的Si二聚體線條可以達到亞納米解析度（0.768納米--Si (100) 2×1-H二聚體行的寬度）。
因此，它實際上是一個直寫系統（也就是類似用一隻筆一筆一畫的寫字），而ASML的EUV光刻機是一個曝光光刻系統，類似於手機拍照。你說有可能用鋼筆代替手機攝像頭嗎？
我們詳細看一下Zyvex的「直寫光刻機」的基本原理：如下圖左側示意圖，當掃描隧道顯微鏡工作在AP模式下（僅有隧穿電流）下，延Si (100) 2×1-H二聚體行的特定晶向掃描，實現選擇性的Si-H表面蝕刻。
Zyvex的「直寫光刻機」有兩種工作模式：
1，在AP模式下可以實現1px，也就是0.768納米解析度。
2，對位對比，如果採用FE模式（場發射模式），掃描蝕刻解析度只能達到4px，也就是4納米解析度。
我們從AP模式的參數表可以看到，其掃描速度是每秒20納米。
我們看一下放大照片，這是Zyvex公司資料中給出的唯一一幅0.7納米解析度的5px*5px的正方形蝕刻圖案，這個正方形的尺寸大約是4納米*4納米。
根據AP模式的掃描速度來看，構建這樣一個圖案的掃描時間大約是1秒鐘。
當然這種1秒鐘構建一個4納米的小方塊的「光刻速度」，顯然無法取代當前的曝光工藝的光刻機。
不僅如此，Zyvex公司的「光刻機」只展示了0.7納米的線解析度，而並沒有展示構建任何0.7納米的半導體晶元的原型。
所以，美國公司的0.7nm線解析度的「光刻機」不可能替代ASML的EUV光刻機。
實際上目前的邏輯晶元製程的命名，比如大家熟悉的7納米晶元、5納米晶元，只是廠商的宣傳名稱，並非指的實際物理尺寸。
比如5納米的邏輯晶元，其特徵尺寸金屬間距MP的實際物理尺寸是28納米，這是當前的NA0.33 EUV光刻機的工作範圍。
例如，ASML目前用於5納米和3納米邏輯晶元的EUV光刻機NX:3600的解析度是13納米。
而2納米邏輯晶元的金屬間距MP的實際物理尺寸是18納米，這就需要下一代NA0.55 EUV光刻機。
據悉，2023年，ASML就要交付給英特爾下一代高NA EUV光刻機了。而ASML也沒有閑著，目前正在積极參与研究下下一代超分辨光刻機技術，目前仍沒有明確的方向。
