三星推首款GDDR6；ASML被要求DUV禁售中國；鴻海50多億投資紫光；

今日熱點

1. 三星推出業界首款24Gbps GDDR6 DRAM，採用1z nm工藝

2. 鴻海公告證實通過工業富聯以53.8億投資紫光集團

3. 1175億美元！今年全球半導體製造設備營收可望創新高

4. 荷蘭證實與美國商討，阻止ASML出售DUV設備給中國

5. IBM與東京電子合作，開發新3D晶元堆疊技術用於12吋晶圓

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三星推出業界首款24Gbps GDDR6 DRAM，採用1z nm工藝

三星電子14日宣布，已開始提供業界首款16Gb GDDR6 DRAM，其處理速度為24Gbps。新內存基於三星第三代10納米（1z）工藝，採用極紫外光（EUV）技術，旨在顯著提升下一代顯卡、筆記本電腦和遊戲的圖形性能，以及基於人工智慧的應用程序和高性能計算系統。

三星24GBbps GDDR6採用創新的電路設計和高度先進的絕緣材料（HKMG），可最大限度地減少電流泄露，與之前的18Gbps產品相比，速度將提高30%。當集成到高端顯卡中時，GDDR6 DRAM可以在一秒鐘內傳輸高達1.1TB的數據，或大約275部全高清電影。

三星GDDR6 DRAM完全符合JEDEC規範，將兼容所有GPU設計。三星新GDDR6產品線還將具有低功耗選項，有助於延長筆記本電腦的電池壽命。利用可根據性能要求調整工作電壓的動態電壓切換（DVS）技術，三星將提供20Gbps和16Gpbs版本，與1.35V GDDR6行業標準相比，在1.1V時能效提高約20%。

隨著本月開始的客戶驗證，三星計劃將24Gbps GDDR6 DRAM商業化，以配合GPU平台的推出，從而加速整個高速計算市場的圖形創新。

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鴻海公告證實通過工業富聯以53.8億投資紫光集團

據台媒《財經新報》報道，鴻海14日公告證實間接投資紫光集團，旗下工業富聯透過轉投資事業興微基金，以53.8億轉投資晟粵廣州，再轉投資智廣芯，而智廣芯通過司法重整取得紫光集團100%股權，投資目的是財務投資。（此前有報道稱工業富聯出資98億元入股）

鴻海公告表示，這次透過工業富聯持股99.99%的轉投資事業興微基金，以53.8億元轉投資持股48.91%的晟粵廣州，再轉投資持股20.04%的智廣芯，並由智廣芯通過司法重整取得紫光集團100%股權。

鴻海指出，這次交易是智廣芯作出投資紫光集團的決定，由興微基金投資決策委員會（由基金管理人委派）根據基金決策程序作出投資決策，決定興微基金投資晟粵廣州，晟粵廣州再投資智廣芯，從而最終投資紫光集團。

鴻海強調，這次投資紫光集團金額達53.8億，其實收資本額為6.7億，紫光集團為中國領先的數字科技企業，營業項目包括IC設計、路由器、交換機、伺服器等，主要投資目的是財務投資。

針對鴻海間接投資紫光集團，外資出具最新報告指出，由於紫光集團在半導體領域從IC 設計、封裝測試等領域擁有強大而廣泛的影響力，符合鴻海在半導體領域的「3+3」戰略，並認為長期來說，對有助於鴻海營運發展。

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1175億美元！今年全球半導體製造設備營收可望創新高

國際半導體產業協會（SEMI）預期，今年全球半導體製造設備營收可望創新高，達1175億美元，成長14.7%，2023年將進一步達1208億美元。

SEMI指出，包括晶圓製程、晶圓廠設施及光罩設備等晶圓廠設備今年營收可望達1010億美元，將創新高，成長15.4%，2023年將再成長3.2%，達1043億美元。

SEMI表示，伴隨數字基礎設施強勁投資，半導體產業積極增加及升級產能，晶圓廠設備今年營收將首度突破1000億美元大關。

在先進及成熟製程需求推動下，SEMI預期，今年晶圓代工和邏輯領域設備營收將達552億美元，成長20.6%，2023年將再成長7.9%，達595億美元規模。

在存儲方面，SEMI預期，今年動態隨機存取（DRAM）設備營收可望成長8%，達171億美元，2023年可能下滑7.7%；快閃記憶體（NANDFlash）設備營收今年將達211億美元，成長6.8%，2023年可能下滑2.4%。

SEMI預期，今年封裝設備營收可望達78億美元，成長8.2%，2023年將略降0.5%，至77億美元。今年測試設備營收將成長12.1%，達88億美元，2023年在高效能運算應用需求帶動下，可望再增加0.4%。

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荷蘭證實與美國商討，阻止ASML出售DUV設備給中國

據彭博社上周引述知情人士的話報導，美國官員正遊說ASML禁止出售成熟製程用深紫外光（DUV）光刻機，遏止中國半導體產業崛起。雖然這些設備不是最先進的一代，但在製造汽車、電話、電腦甚至機器人晶元最常用的設備。

荷蘭政府面臨來自美國官員的壓力，但尚未同意任何額外限制，因為中國是荷蘭僅次於德國、比利時的第三大貿易夥伴。

另一方面，ASML反對禁止向中國客戶銷售DUV設備，因是成熟技術。據公司揭露的資訊和彭博社數據顯示，由國內或國外公司經營的中國設施佔ASML 2021年總收入14.7%。

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IBM與東京電子合作，開發新3D晶元堆疊技術用於12吋晶圓

據台媒《科技新報》報道，IBM和日本半導體設備商東京電子日前宣布，在3D晶元堆疊方面獲得了新的技術突破，成功運用了一種新技術將3D晶元堆疊技術用於12 吋晶圓上。由於晶元堆疊目前僅用於高階半導體產品，例如高頻寬存儲(HBM) 的生產。不過，在IBM與東京電子提出新的技術之後，有機會擴大3D晶元堆疊技術的應用。

報道指出，3D晶元堆疊技術在當前被視為延續摩爾定律(Moore′s Law) 的利器之一，這使得多家半導體企業公司都在進行努力，期望將「每單位面積」的電晶體數量，轉變為「每單位體積的電晶體數量」。而與一般平面結構的晶片相較，3D晶元堆疊允許多層堆疊，而硅穿孔封裝(TSV) 就是3D晶元堆疊技術當中的關鍵。

IBM與東京電子新開發的技術，本質上是一種將硅晶元連接在一起的新方法。傳統的晶元堆疊需要堆層間的硅穿孔，這可以使得電力向上流入堆疊層，並使兩層串聯執行工作。但是，這需要削減堆疊層的背面，以露出TSV空間以提供另一層堆疊層透過TSV來連結。只是，堆疊層中的厚度非常薄，通常僅小於100微米。而因為它們的脆弱性，讓他們當中需要一個載體晶元來支撐。

所以，通常這些載體晶元由玻璃製成。借載體晶圓與晶圓的鍵合，以確保它可以在生產過程中不受損壞。完成生產後，使用紫外鐳射去除載體。在某些情況下，也可以使用載體晶元，但將其進行層與層分離需要物理的機械力來幫助，這對於晶圓的完整性可能是造成風險。因此，在這IBM與東京電子新開發的技術上，將使用紅外線鐳射來進行層與層分離，進一步剝離兩個對硅穿孔的晶片，將能有效的降低破壞晶片完整性的風險。