昨日三星電子對外宣布,其已開始大規模生產基於3nm GAA(Gate-all-around,環繞柵極)製程工藝技術的晶元,這也使得三星搶先台積電成為了全球首家量產3nm的晶圓代工企業。據彭博社報道,三星已開始生產3納米晶元,擊敗了競爭對手台積電,採用了更省電的製造工藝。目前,全球有意願且有條件發展3nm晶元製造的廠商有台積電、三星、英特爾三家。按計劃,台積電的3nm製程將在2022年下半年量產,而英特爾7nm製程改名後的Intel 4也計劃在2022年下半年量產。
根據三星公布的數據,與5nm製程相比,3nm製程可以降低45%的功耗、提升23%的性能和縮小16%的晶元面積。未來,它希望其第二代3納米工藝能將功耗和尺寸分別降低50%和35%,並將性能提高30%。除了搶先量產3nm製程工藝之外,三星也是全球第一個成功將GAA技術應用到量產的3nm晶元當中的晶圓代工廠商。
這一工廠投產也打破了業界的大量猜疑。此前台灣業界就認為,三星可能因為3nm良率過低,而不得不延後量產。客觀來說,這一猜疑具有歷史基礎。三星一直努力追趕台積電的先進工藝,但步伐太大,良率時不時成為隱患。在晶圓代工市場,三星也大幅落後於台積電的份額。
對於三星的突破性進展,台積電錶示不予評論。據稱,台積電基於FinFET架構的3nm工藝將進入量產階段,並搭配FINLEX架構。此外,2nm工藝預計在2025年量產。該公告是三星努力與台積電競爭的一個關鍵里程碑,台積電在合同晶元生產市場上佔主導地位,是蘋果公司用於其iPhone、iPad、MacBook和Mac的晶元製造商。
其實三星在晶元製造領域一直被台積電壓著打。但是在去年,三星宣布了 171 萬億韓元(約 8840.7 億元人民幣)的投資計劃,預計將在 2030 年之前超越台積電成為全球頂級邏輯晶元製造商,並且將在其代工業務方面找到中國的新客戶!另外還表示台積電的3納米工藝預計將在今年晚些時候投入生產,這些晶元最初將為 "高性能、低功率計算 "應用而生產,但它計劃最終將其用於移動領域。