前言
隨着氮化鎵技術的發展和普及，氮化鎵器件高頻、高效率的特性可以有效降低損耗、減少發熱，以提升整機性能。越來越多的的廠商陸續開始在高功率電源中採用氮化鎵芯片。
鎵未來作為行業領先的半導體企業，提供650V~900V氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件，其產品具有易於使用（兼容Si MOSFET驅動）、可靠性高、性能參數領先等優點，可提供PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252等貼片封裝以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封裝全系列產品。目前鎵未來旗下多款氮化鎵芯片被聯想、大疆、安克等多家廠商採用。究竟是何種魅力讓鎵未來芯片受到大廠青睞，下文中將為您詳細介紹。
排名不分先後，按品牌首字母排序。
鎵未來氮化鎵開關管
充電頭網了解到，鎵未來現已推出多款氮化鎵器件，表格中所示的5款均有實際應用案例。
鎵未來G1N65R035TB-N
鎵未來G1N65R035TB-N，是一顆耐壓650V，峰值耐壓800V的氮化鎵開關管，其導阻僅為35mΩ，Vth 4V，Vgs ±20V，採用TO-247-3L封裝，處於行業領先水平。具有堅固的柵極，可以簡化柵極驅動設計，提供最佳的性能和傑出的可靠性。
鎵未來G1N65R035TB-N柵極支持±20V耐壓，無需負壓關斷，可兼容傳統Si-mos控制器。具有快速開關可降低開關損耗，低柵極電荷降低高頻開關下的驅動損耗，反向續流具有極低的VF，降低死區時間的損耗。低反向恢複電荷適合於硬開關橋式應用，800V的高峰值耐受增強了器件的可靠性。
使用G1N65R035TB-N可提高轉換能效，高頻開關有助於減小電源體積，還可降低產品的散熱需求，減小尺寸和重量，更低的運行溫度提升了安全性和可靠性。
G1N65R035TB-N適用於硬開關橋式電路，比如連續電流模式圖騰柱無橋PFC或逆變器、（雙向）帶同步整流HVDC Buck降壓電路或Boost升壓電路，也適用於高頻高效率移相全橋、LLC或其他軟開關拓撲，功率範圍2KW-6KW。
應用案例
Anker 767戶外電源
最近ANKER安克推出的一款767戶外電源，輸出功率2300W，容量2048Wh。採用方便搬運的拉箱式設計，功率大的同時各方面性能表現都非常優異。此外還採用了時下非常前沿的氮化鎵雙向逆變器技術，開創氮化鎵在戶外電源領域的應用。
安克這款 767 氮化鎵戶外電源整體為灰色色調，外殼磨砂抗指紋。該產品配備三種類型的接口，分別置於左、中、右三個區域，其中左側區域配有3個AC圓頭插孔，區域右上角是AC插孔控制開關；中間區域為2個點煙器插口，區域右上角是對應的模塊控制開關；右側區域配有2A3C接口，其中USB-A接口支持12W輸出，USB-C接口支持100W快充。
鎵未來G1N65R050TB-N
鎵未來G1N65R050TB-N，是一顆耐壓650V，峰值耐壓800V的氮化鎵開關管，其導阻僅為50mΩ，Vth 4V，Vgs ±20V，採用TO-247-3L封裝，處於行業領先水平。並具有堅固的柵極，可以簡化柵極驅動設計，提供最佳的性能和傑出的可靠性。這裡作為圖騰柱PFC的快速半橋使用。
鎵未來G1N65R050TB-N柵極支持±20V耐壓，無需負壓關斷，兼容傳統控制器。高開關速度可降低開關損耗，低柵極電荷降低高頻開關下的驅動損耗。反向續流具有極低的VF，降低死區時間的損耗。低反向恢複電荷適合用於硬開關橋式應用，800V的高峰值耐受增強了器件的可靠性。
鎵未來G1N65R150TA-N
鎵未來氮化鎵開關管G1N65R150TA-N，是一顆耐壓650V，峰值耐壓800V的氮化鎵開關管，導阻為150mΩ，採用TO-220封裝，處於行業領先水平。器件具有堅固的柵極，可以簡化柵極驅動設計，提供最佳的性能和傑出的可靠性。
鎵未來G1N65R150TA-N柵極支持±20V耐壓，無需負壓關斷，兼容傳統控制器。高開關速度可降低開關損耗，低柵極電荷降低高頻開關下的驅動損耗。反向續流具有極低的VF，降低死區時間的損耗。低反向恢複電荷適合用於硬開關橋式應用，800V的高峰值耐受增強了器件的可靠性。
應用案例
電小二1000Pro戶外電源
這款1000Pro戶外電源內置1002Wh電池，支持交流快充和太陽能快充，1.8小時即可將戶外電源完全充滿。雙向逆變模塊額定輸出功率為1000W，支持2000W峰值輸出，同時採用了時下非常前沿的氮化鎵雙向逆變器技術，開創氮化鎵在戶外電源領域的應用，下面就一起看看這款戶外電源的拆解。
電小二戶外電源1000Pro採用94V-0級（最高防火等級）材質外殼設計，擁有經典黑橙配色款以及米白配色的沙金款可選，均嚴格按照汽車行業標準增加多重防撞保護機制，擁有9級防震和符合美國UL安全跌落標準，即使車輛後備箱或是移動過程中遇到意外碰撞情況也能有效防護。
鎵未來G1N65R150PB-N
鎵未來G1N65R150PB-N是一顆耐壓650V的氮化鎵功率器件，瞬態耐壓800V，標稱導阻150mΩ，柵極耐壓支持±20V，可使用傳統硅MOS驅動，相比增強型氮化鎵，大大簡化柵極驅動電路設計，其採用PQFN8x8封裝，散熱焊盤為源極，可以有效減小高頻走線面積，提升EMI性能。
G1N65R150PB-N詳細資料如上。
應用案例
聯想拯救者筆記本140W氮化鎵充電器
聯想這款專為筆記本而生的充電器，整體機身呈黑色，外殼亮面磨砂撞色處理，造型看起來稜角分明，但實際持握邊緣並不硌手，在插腳處採用亮面設計，反差突顯出LEGION品牌和140W輸出功率。
通過測量，測得充電器機身尺寸為64.94*66.83*30.48mm，充電器體積約為132.28cm³，功率密度約為1.06W/cm³，與蘋果140W充電器相比，體積縮小了35%，優勢十分明顯。
鎵未來G1N65R240PB
鎵未來G1N65R240PB，是一顆採用PQFN 8x8封裝的氮化鎵功率器件，其耐壓值為650V，瞬態耐壓高達800V，導阻240mΩ，柵極耐壓支持±20V。G1N65系列場效應管是市場上所有寬帶隙器件中具有最可靠的柵極和最低反向電壓降的氮化鎵(GaN)場效應晶體管。只需要簡單的柵極驅動，便能提供一流的性能和出色的可靠性。
這款芯片柵極電壓閾值較高，無需負壓關斷。快速開/關速度，減少開關損耗。在高頻條件下，由於超低柵極電荷和其簡單的柵極驅動，其具有最低的驅動器消耗。在所有SiC和GaN FETs中，其關斷狀態的反嚮導通VF最低，減少了死區損耗。具有超低反向恢複電荷，適用硬開關橋應用。瞬態耐壓值高達800V，具有更高的可靠性。可以應用於使用QR或ACF反激拓撲的高頻緊湊型充電器，半橋降壓/升壓，圖騰桿PFC電路或逆變電路以及高效/高頻LLC或其他軟開關拓撲。
應用案例
HDPLEX氮化鎵PC電源
HDPLEX針對微電腦市場需求打造了一款氮化鎵PC電源，體積僅有 SFX 電源三分之一大小。
HDPLEX 氮化鎵電源採用了先進的 PFC + LLC 架構，其滿載效率達到 94%。鋁合金機身無風扇被動散熱方案，讓它實現零噪音運行，這對微型主機來說尤為重要。輸出接口帶有 24pin、8pin、4pin，都是電腦上最常用的接口。
大疆100W雙USB-C氮化鎵桌充
無人機巨頭大疆，也推出了一款100W的雙USB-C接口充電器。這款充電器雙口均支持100W輸出，並且雙口輸出總功率為100W。與常見的充電器不同，大疆這款充電器並未採用摺疊插腳，而是採用八字線插座，方便使用不同長度的電源線，滿足長距離使用。
充電器機身方塊造型，外殼磨砂抗指紋，正背面邊緣均倒角處理，機身設有8字輸入插口，獨立模塊設計。另一端設有兩個USB-C接口，接口邊緣倒角亮面設計，並印有區別標識。
唯沃豐65W 2C1A氮化鎵快充
唯沃豐65W 2C1A氮化鎵快充充電器採用了業界主流的接口配置，可以同時為三台設備充電器，並且保證USB-C1口具備45W供電的能力。兩個USB-C接口在單口模式下均支持65W輸出，在給筆記本電腦等大功率設備充電時無需特別在意接口的選擇。
充電器採用純白色外殼，摺疊插腳設計，縱向邊角線採用圓角過渡，端面則保留的直角切邊，剛柔兼濟。在充電器的一個側面印有GaN 65W字樣。在充電器的另外一個側面，印有WEOFUN的品牌logo以及GaNext的logo。靠近輸出端的位置，設計了一顆LED電源指示燈。
悅米65W氮化鎵充電器
這款充電器配備時下熱門的1A1C雙輸出接口，分別支持最大36W和65W快充，也支持45W+18W雙口輸出策略，滿足各大品牌手機、筆電快充需求。
充電器採用常見的柱狀造型設計，外殼表面啞光，腰身各面過渡圓潤。頂面配有1A1C接口，兩個接口均採用橘紅色膠芯。
聯想65W 2C1A氮化鎵充電器
聯想這款65W氮化鎵快充充電器FC317C，配備2C1A三個USB接口，最多支持三台設備同時充電，滿足手機和筆記本的同時需求。單口輸出時可提供最大65W快速充電，讓筆記本等設備快速滿血復活。
充電器採用時下熱門柱狀造型設計，PC材質黑色外殼表面啞光抗指紋，腰身各面間採用獨特的三斜面過渡設計，與常見的弧面過渡相比，設計十分新穎。
充電頭網總結
珠海鎵未來科技有限公司是行業領先的高壓氮化鎵功率器件高新技術企業，致力於第三代半導體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發與製造。產品具有易於使用（兼容Si MOSFET驅動）、可靠性高、性能參數領先等優點，可提供PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252等貼片封裝以及TO-220、TO-247-3L、TO-247-4L等插件封裝全系列產品，為市場提供高效、節能環保的下一代功率器件。產品涵蓋小功率（<300W）、中功率（300W~1kW）和大功率（1kW~6kW），在國內率先實現全功率範圍氮化鎵器件的量產。重點市場包括消費電子、電動工具、數據中心、便攜儲能、微型逆變器、電動汽車、智能電網和工業市場。豐富的應用方案包括PD快充適配器、電動工具充電器、電機驅動、超薄TV電源、新國標EBIKE電源、LED驅動電源、儲能雙向逆變器、電池化成電源、ICT服務器電源、算力電源、車載雙向DC-DC等。
自2020年成立以來，鎵未來已獲專利近60項。2022年獲得本土創新創業團隊，廣東省博士工作站，國家級「高新技術企業」，廣東省「創新型中小企業」，廣東省「專精特新」中小企業，「氮化鎵器件900V系列產品」與「650V/035大功率產品」被評為省名優高新產品，澳門BEYOND Award消費科技創新大獎，2023年度最佳功率器件/寬禁帶器件，2023創客廣東半導體與集成電路專題賽企業組一等獎，2022-2023中國半導體市場最佳產品和最佳解決方案。
充電頭網了解到，鎵未來G1N65系列的開關管擁有卓越的性能，包括高柵極電壓閾值、堅固的柵極結構、開關速度高、卓越的耐壓能力以及低導通電阻。此外，其柵極驅動電路設計非常簡單，有效降低了開關損耗，顯著提升了整機的效率。採用G1N65系列開關管還可以幫助廠商降低生產成本，因為只需基本的柵極驅動電路，就能提供一流的性能和可靠性，而且可替代性較低。現如今，鎵未來的開關管已成功進入了安克、大疆、聯想等大廠的供應鏈，在這個競爭激烈的市場中佔據了重要地位。
