華為聯合中國半導體公司研發HBM內存，突破美國技術封鎖

據報道，華為正在發起一個存儲器生產商聯盟，旨在製造高帶寬存儲器（HBM），以應對西方國家對半導體技術的制裁。HBM對於人工智能（AI）和高性能計算（HPC）處理器至關重要，因為內存帶寬的限制往往會影響其性能，而華為意識到了這一點，因此正在支持一家中國DRAM製造商開發HBM2內存。

華為領導的財團得到了中國政府的支持，其中包括其他幾家中國半導體公司，如福建晉華集成電路公司和專業的先進芯片封裝廠商。該聯盟目前正在致力於開發HBM2內存，該技術相比市場領先者的產品落後幾代。據報道，該工廠甚至已經建立了兩條生產線。華為的目標是在2026年完成HBM2內存的開發並開始量產。

媒體還報道稱，另一家中國半導體公司新芯集成電路（XMC）也在進行HBM項目的開發。XMC由中國領先的3D NAND生產商長江存儲技術有限公司（YMTC）控股，而YMTC又由國有企業清華紫光集團控股。

目前，HBM內存由美光、三星、SK海力士等公司銷售，但現貨市場上並不常見。由於HBM存儲器是使用美國技術製造的，這些企業必須向美國政府申請出口許可，而美國政府對這些申請的審批是“推定拒絕”。

華為迫切需要HBM用於其用於人工智能應用的Ascend系列處理器。儘管中芯國際（大概）可以為華為生產這些芯片，但HBM的可用性顯然成為了華為人工智能處理器的瓶頸。目前尚不清楚華為如何獲得HBM內存，然而這意味着華為的Ascend處理器的可用性受到限制，因為這家中國高科技公司主要希望將這些設備用於自己的人工智能服務。

華為和其他HBM公司的努力面臨著相當大的障礙，尤其是國際法規限制向中國銷售先進芯片製造設備的情況下。

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