美国绞杀晋华始末,联电反水背刺,美光撤诉真实意图,看懂人不多

2024年05月14日13:30:08 科技 1700

中美芯片巨头重磅和解,向来积极打压中企的美光和中国DRAM内存企业晋华,在历经六年的商业盗窃指控和力证清白的博弈后,终于达成了全球和解协议。

2024年2月底,美国加利福利亚联邦法院裁决中国晋华无罪,驳回了美光以及美国司法部针对晋华商业机密盗窃的指控。

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福建晋华

晋华终于在中美贸易战的大背景下“奇迹”般的获得胜利,但晋华自身也被打压的元气大伤,一度差点落得靠清算厂房设备续命。

在美国的高压制裁下,哪怕是国内也没有企业敢跟晋华合作,厂房内的机器几乎没法开工,晋华几乎退出了DRAM内存行业。

当我们深入了解这场不见硝烟的拉锯战,大家会细思极恐的发现,美光打压晋华的目的已经达到,晋华不再对美光构成威胁。

美国相关部门其实是在配合美光向中国存储芯片市场伸出了暗手。

美光死死咬住晋华长达六年之久,美国法院判定晋华无罪这招儿是给外人看的,根本上是美光撤回了对晋华的指控。

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彭博社透露的邮件

因为在2023年12月24日,彭博社曝光的美光内部邮件透露,两家企业将在全世界撤回针对对方的指控,并终止所有的诉讼。

美光愿意“放过”晋华,无外乎有两点原因,一是晋华已经被拉入黑名单,它已经被制裁的没啥竞争力了,根本对美光造成不了市场威胁。

二是美光在华的销售额占总营收的份额,已经从2018年的58%骤降到了2022 年的11%,再加上2023年中国在关键基础设施领域禁售美光芯片,美光已经被中国视作重点打击的对象。

但美光的反应也超乎我们想象,它不仅没有反抗,而且还宣布在西安投43亿元建厂,种种现象说明了美光是极度依赖中国市场的。

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但想了解美光晋华案的深层原因,以及美光撤回对晋华指控、给中国纳投名状的真实意图,我们还得从2016年、中国存储芯片爆发的元年说起。

去年中国一共从海外进口了4796亿块芯片,总价值高达3502亿美元,其中占大头的是计算芯片(如手机移动端的计算处理器),一共1763亿美元。

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我们注意到,存储芯片(NAND闪存和DRAM内存占大头)一共购买了789亿美元,明显存储芯片是第二大细分市场。

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芯片进口花的钱比石油都多,这句话绝不是耸人听闻。

而晋华则是中国存储芯片的破局者。2016年2月,福建电子信息集团、晋江能源一起出钱,将台湾省专业搞存储的联电拉了进来,联合成立了DRAM内存制造公司。

联电看中了大陆的市场,老板曹兴诚当时还是有名的爱国商人,当时他想在内地推行所谓的“大陆芯片计划”,大陆出钱,联电负责DRAM技术研发。

同年6月同样是搞DRAM内存的合肥长鑫在安徽成立,7月紫光集团、国产集成电路产业投资基金和湖北科投一共砸了240亿美元,在武汉成立了专攻NAND闪存技术的长江存储

至此中国存储芯片创业初期三巨头格局,正式形成,中国存储产业风暴已至。

中国存储芯片三巨头来势汹汹,重点突围的方向就是韩国美国垄断的内存市场,当时我们定下的目标,就是在5到10年内,突破存储芯片被美韩巨头垄断的局面。

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但西方对中国新兴存储企业的绞杀同时起步,让核心研发交给台湾联电的晋华成为重点打击对象,说实话就是晋华没有掌握核心科技,交给了外人。

晋华遭遇空前劫难的直接原因,就是技术团队的来源和美国美光产生了交叉,被抓住了命脉,美光当时在中国台湾有一家子公司,晋华的总经理曾经就在这里任职,后面就跳槽到联电当副总经理。

晋华成立时,大陆这边先是拿了3亿美元从国外采购设备,后面又给了联电4亿美元的研发费,让联电拿钱搞32nmDRAM芯片的研制,最终转到晋华这边来量产。

正是这种合作模式给日后晋华埋下了极其大的隐患。

2017年11月晋华12寸晶圆厂封顶,计划在2018年试产,计划第一期每月的产能达到6万片,第二期实现12万片的产能,就等着联电那边把技术送过来。

正当所有人期待晋华率先实现中国存储芯片破局时,联电要开始坑晋华了,早在2017年2月,台湾所谓的司法部门突袭检查联电的办公地,强行带走了有关美光的电子设备和信息。

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其实之前三名前华亚科技(美光的合资公司)的员工从美光离职时,顺手牵羊了一些专利材料到了联电,其中就包括32nmDRAM研发的技术资料,但是屁股没擦干净留下了痕迹。

但联电的管理层跟晋华解释说这些转移给你的技术都是“清洁技术”,也就是干净的。

所以就在2017年9月,美光在台中法院控诉联电窃取它的DRAM技术和商业机密,并把这些重要文件泄露给了晋华,于是晋华躺着中枪了。

同年12月,美光在美国加州联邦法院将晋华和联电一起告了,指控联电偷窃美光技术并转交给了晋华。但是,美光能证实联电窃取了技术,但没有提供联电将技术转移给晋华的证据。

在后来的接连指控中,美光要求晋华赔偿200亿美元的天价损失,并且对晋华的总经理、高管和核心技术人员发出全球通缉令。

晋华刚建的厂房还没开工,就面临美企全面封杀的可能性。

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被联电坑惨的晋华,发布了一篇200字的回应,主要是称晋华没有窃取其他公司技术的行为。

晋华真的是花钱买罪受,还被猪队友坑,随即在2018年1月,晋华拉着联电一起在福建法院发起对美光的反击,控诉美光的英睿达铂胜等型号DRAM内存和固态硬盘,在中国侵犯晋华和联电的专利,并索赔1.96亿元。

当时美光在西安工厂一年的测试产能,就占到全球的九成,美光2018年一半的营收都来自西安工厂。

作为回击,2018年7月,美光被福州法院勒令立刻停止售卖上述DRAM产品,西安工厂立即停止生产相关产品。

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但就当晋华奋起反击美光、力争自身清白时,曾经的队友台湾联电竟反水了,联电后来向美国司法部认罪,连窃取美光专利机密的过程都给供了出来,这下晋华跳到黄河都洗不清,直接被联电卖到了绝境。

2018年7月6日,美国开始对中国商品新增25%的关税,中美贸易战正式打响,同时美光频繁游说美国商务部,意图推进对华芯片制裁和打压中国存储产业,晋华、长江存储、合肥长鑫都是美光打压的对象。

10月29日,美国商务部以“晋华生产DRAM内存的技术可能来自美国“为由,正式将晋华拉入出口管制清单。

随后晋华厂房内的美系设备全部停摆、终止调试,已经购买还未到货的芯片设备全部暂停,欧美专家全部撤出,就连联电背刺晋华,停止了DRAM的合作开发,召回了核心技术骨干。

所以你看美国的狼子野心就显露无疑了,明明是联电盗窃了美光的技术,联电跟晋华合作也是在后,你不制裁联电反倒制裁晋华,这是怎么回事?因为你晋华就是不跪!

晋华至此被美光死死咬住,DRAM的研发和投产一直被拼命阻止,联电也开始配合美国商务部,转而直接反水。

2020年10月联电终于承认了侵犯美光专利和盗取商业机密的事实,并赔偿了6000万美元,以此换来与美国商务部的和解,同时美国司法部撤销了对联电的指控。

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2021年11月,联电跟美光达成和解协议,赔偿了一大笔和解金,但这个数额是对外保密的,双方间的诉讼各自撤回。

而且更让晋华想不到的是,联电还协助晋华的员工跳槽到华邦电子,联电到做法真的令人不齿。

至此以美光为首的美国势力,开始全面绞杀中国存储企业。2022年12月,长江存储被美国拉入实体清单,原因就是美光向美商务部投诉长存给华为供货。

国内DRAM内存企业仅剩下合肥长鑫一家在坚持,全球DRAM市场形势非常严峻,三星SK海力士和美光瓜分了全球近95%的市场份额,它们肆意给DRAM涨价获取超额利润,垄断全行业DRAM的价格。

但即便在高压之下,有媒体在2021年年初报道,晋华已经攻克25nm内存芯片,并具备小规模量产的能力。同时长江存储已经突破128堆栈NAND闪存技术,技术水平超过三星,踏入全球领先行列。

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从2023年开始,中国开始重点打击美光,限制美光产品在国内销售,美光CEO梅赫罗特拉先后在2023年11月、2024年3月前往中国示好,同时美光宣布在西安投入超43亿元建厂和扩产。

美光在打压中企的同时,自身在中国市场也是屡屡碰壁,和晋华和解,就是美光走的重要一步棋,待中国存储企业产品商业化的关键时期,晋华这个威胁已经除掉,美光开始寻求重返中国市场,同样也是为了抢夺市场份额。

晋华的案列也告知我们,核心技术要藏好,要把握在自己手中,长江存储搞自研X-tacking技术、合肥长鑫行事低调来保护技术团队和技术来源,都是中国存储顺利崛起的重要一环。

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