4月11日，日本先进半导体企业Rapidus集中公布多项核心进展，在完成巨额政企联合融资、推出AI半导体设计工具后，其2026财年2nm制程研发项目获日本NEDO正式批准，同时北海道千岁市的分析中心与芯粒解决方案基地同步启用。
从资金、技术、项目到产能配套形成全链条支撑，该公司正稳步向2027财年下半年2nm先进逻辑半导体量产目标推进。
2676亿日元政企融资落地 筑牢量产资金底座
2026年2月27日，Rapidus完成总额2676亿日元的融资，由日本政府与民间企业联合出资，为2nm芯片从研发转向规模化量产提供充足资金保障。
其中，日本经济产业省管辖的信息处理推进机构（IPA）出资1000亿日元，佳能、富士通、NTT、软银、索尼等32家本土企业合计出资1676亿日元。叠加成立初期募资，截至2026年2月27日，公司资本金及法定资本盈余已达2749.5亿日元。
此外，Rapidus自2022财年起持续获得NEDO在先进半导体领域的研发补贴，后续还将通过增资、贷款等方式补充资金，保障量产规划落地。
AI设计工具发布 大幅提升芯片研发效率
2025年12月，Rapidus在东京SEMICON Japan展会上推出AI智能设计工具套件Raads，作为企业高效统一制造服务体系的核心，该工具将于2026年分批推向市场，并与工艺设计套件、参考流程同步交付客户。
Raads依托大语言模型与机器学习技术，覆盖芯片设计生成、性能预测、流程导航、版图管理、参数优化全流程，搭配传统EDA工具使用后，可将芯片设计周期缩短50%、设计成本降低30%。
与此同时，Rapidus北海道千岁IIM-1晶圆厂已完成高端设备部署与自动化产线搭建，2025年下半年成功完成2nm环绕栅极（GAA）晶体管原型试制，获取了关键电学特性数据。
NEDO获批2026财年2nm项目 技术研发稳步推进
2026年4月11日，Rapidus2026财年2nm半导体研发项目的计划与预算，获日本新能源·产业技术综合开发机构（NEDO）正式批准，相关课题归属后5G通信基建强化研发及先进半导体制造委托项目。
获批核心课题分为两大方向：基于日美合作的2nm半导体集成与短交期制造技术研发，以及2nm芯粒及封装设计制造技术开发。
2025财年，公司已在前道工艺实现300mm晶圆上2nm GAA晶体管导通验证，并向核心客户发布先行版工艺设计套件；在后道封装领域，成功试制出全球首款600mm见方有机绝缘膜重布线层中介板。
2026财年，Rapidus将在前道发布完整版工艺设计套件、搭建短交期生产体系，在后道推动芯粒解决方案试产线全面运营，开展2.xD/3D封装制程验证。
分析中心与芯粒方案启用 完善产研配套体系
同日，Rapidus位于北海道千岁市的分析中心正式投用，该中心紧邻IIM-1晶圆厂，可提供物理分析、环境化学分析、电学测试及可靠性验证服务，补齐先进芯片研发关键环节。
同步全面运营的还有Rapidus芯粒解决方案（RCS）基地，该基地2024年10月启动建设，2025年4月完成设备安装并进入试产阶段，此次正式启用标志着先进芯粒与3D封装研发产能落地。
两处设施的启用仪式同步举办，日本经济产业大臣赤泽亮正、北海道知事铃木直道、千岁市市长横田龙一及多位国会议员出席并剪彩。
高管表态：锚定2027量产目标 持续突破核心技术
Rapidus代表董事、首席执行官小池淳义表示，2025财年公司成功完成日本首款2nm GAA晶体管与全球首创600mm级有机RDL中介板的技术验证，感谢各级政府与产业链伙伴的支持。
未来公司将依托资金、项目、设施与AI工具四大核心支撑，持续提升2nm工艺精度与良率，突破2.xD/3D先进封装技术，稳步实现2027年2nm先进半导体量产目标。
Rapidus成立于2022年8月，总部位于日本东京都千代田区，专注于顶尖逻辑半导体的研发、设计与制造。公司通过整合芯片设计、晶圆制造、3D封装全流程能力，携手产业链伙伴构建先进半导体产业生态，以半导体技术推动产业升级与社会发展。
