三星半导体押注2纳米与HBM4 集中力量开发Exynos 2600

2025年04月08日18:03:04 科技 1861

【CNMO科技消息】据韩媒报道,尽管三星电子在高带宽内存(HBM)产品的质量测试上有所进展,但其半导体部门仍面临多重挑战。业内人士指出,以8层堆叠HBM产品为例,三星的供应时间比竞争对手晚了一年以上,这使其在技术差距和市场份额的追赶上存在明显局限。

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在第五代HBM竞争中处于劣势的三星,正将翻身希望寄托在下一代HBM4产品上,目标是在今年内实现量产。然而现实并不乐观。用于HBM4的10纳米级第七代(1c)DRAM仍未完成开发,材料准备不足令HBM4的量产节奏存在不确定性。业内专家指出:“只有高附加值的HBM订单显著增长,三星DS(设备解决方案)部门的业绩才可能实现有意义的反弹。”

除了存储芯片外,三星半导体的另一大支柱——由晶圆代工和系统LSI组成的业务线也未见起色。据估计,2025年第一季度该业务线亏损超过2万亿韩元(约99.2亿元人民币)。其中,核心产品Exynos 2500因性能与良率未达预期,未能搭载于S25系列上,导致亏损持续。

晶圆代工领域,由于3纳米及以下先进工艺尚未获得大型客户订单,三星在争夺高端客户上的劣势可能在短期内持续存在。

面对困局,三星正全力推进2纳米制程及相关产品的开发。公司正在集中力量开发Exynos 2600,并争取在年内实现量产。一位业内人士透露:“目前2纳米制程的良率相比去年同期的3纳米水平更为稳定,三星在该节点上的投入与期待显著提升。”尽管前路仍存挑战,但2纳米与HBM4被视为三星半导体业务能否逆转局势的关键支点。

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