我们之前就介绍过，除了ASML最新的High-EUV光刻机之外，日本光刻机大厂佳能发布的纳米印刷光刻机也非常引人关注，因为这种光刻机在价格和芯片生产成本上，都要由于ASML的High-EUV光刻机，也可以说佳能是在高端光刻机市场上，唯一能称得上ASML对手的厂商，而现在佳能也迎来了好消息，美光已经宣布会在内存芯片的生产上，使用佳能的纳米印刷光刻机。
尽管Intel、台积电和三星等芯片代工大厂，都会继续支持ASML，但像存储厂商，都会自己购买相应的存储芯片生产设备。考虑到存储厂商更注重成本，所以佳能在刚宣布纳米打印光刻机的时候，就引起了很多企业的注意。现在美光计划首先支持日本佳能的纳米半导体印刷技术，希望借此进一步降低生产DRAM内存芯片的成本。
很有意思的是，美光日前自己发布演讲，专门介绍了佳能纳米半导体印刷技术用于DRAM生产的细节，包括DRAM制程和沉浸式曝光分辨率，由于层数不断增加，代表必须增加更多曝光步骤，以取出密集记忆体阵列周围虚假结构。佳能的纳米印刷光刻机，似乎比传统的设备更有利于美光在内存芯片上的制造。
这其实意味着美光已经掌握了佳能这个光刻机生产内存芯片的技术，考虑到光学系统的特性，DRAM层的图案很难用光学曝光来绘画，而纳米半导体打印可更精细打印图案，且纳米半导体印刷成本是沉浸式光刻机的20%，所以是很好的解决方案。但另一方面，纳米印刷光刻机并不能在记忆体生产所有阶段取代传统光刻机，所以两者并非纯粹竞争关系，但对厂商来说至少降低单技术操作的成本。
佳能公司在2023年10月公布了型号为FPA-1200NZ2C的纳米半导体印刷设备，佳能社长表示，纳米半导体印刷问世，为小型半导体制造商生产先进芯片开辟了新的途径。纳米半导体印刷是指将有半导体电路图的光罩压印至晶圆，只需一个印记就可在适当位置形成复杂2D 或3D电路图，而且未来只需改进光罩就能生产2nm的芯片。当然我们不能说这个技术就比ASML更先进，但至少让厂商有了更多的选择。
对于ASML来说，佳能已经是一个肉眼可见的竞争对手了，而且佳能最大的优势就是成本，原本佳能说纳米光科技只需要传统EUV光刻机十分之一的价格就能搞定，但现在看来价格降不到这么低，不过依然比ASML有不小的优势，另外生产成本更低，也会促使一些厂商会考虑采用佳能的方案。当然最后的问题还是，这种光刻设备能引入中国么？
