文/正又直说事
编辑/正又直说事
本文非新闻资讯内容!内容来源于真实事件，本文所用素材、图片均来源于互联网，此文章旨在分享事件过程及结果，无低俗等不良引导。如涉及事件版权或者人物侵权问题，请及时联系我们，我们将删除内容!特别说明，本文个存在捏造事实。
前言
半导体霸主ASML光刻机的垄断或将结束！
2019年，美国开始了对我国半导体的封锁，尤其是在华为5G问世后，封锁强度一再加强。
面对美国的强力封锁，华为在经历了至暗时刻后，终于在今年打破封锁，制造了属于我国的芯片！
而作为美国拥护者，掌握了全球最先进技术的荷兰公司ASML却开始自乱阵脚。
尤其是在日本推出不弱于ASML的芯片制造技术后，它“半导体一哥”的地位岌岌可危！
一、“穷小子”ASML到半导体霸主
阿斯麦尔(ASML)的名字可能很多人并不熟悉，但它却在智能手机、电脑等各种电子产品所使用的芯片制造中扮演着无可替代的角色。
ASML是全球最大的光刻机供应商，这种机器用于给硅片“印刷”电路图案，是半导体制造的关键设备。
ASML的起源要追溯到1984年，当时飞利浦和ASMI两家公司联手成立了ASML公司，主要从事光刻机的研发和生产。
但初期的ASML并不被看好，经常因为研发经费不足的问题抓耳挠腮，再加上合资公司飞利浦的时常打压，一度让他们举步维艰。
你敢相信，ASML最初是在飞利浦施舍下，在一个不遮风挡雨的棚子中办公，为了保证电子设备的正常，ASML的创始人对棚子做了一个简单的装修就开始办公。
直到90年代，ASML抓住行业对更高分辨率光刻机的需求，大力投入浸入式技术的研发，一举改变了它们的窘况。
浸入式技术将光刻机的曝光环境从空气改为液体，可大大提高折射率，缩短曝光波长。
行业老大尼康仍然坚持旧有技术路线，而ASML的这一突破性创新让其快速崛起，短短几年时间，ASML市场份额上升至70%。尼康在浸入式光刻机上败给了ASML，但还不至于完全屈居人下。
真正让ASML称霸的，是90年代末开始酝酿的极紫外线(EUV)技术。
为了进一步缩小芯片制程，业界亟需突破光刻机曝光波长的物理极限。EUV通过使用仅10纳米级的极紫外线，可支持更高分辨率，但技术难题重重，投入成本高昂。
ASML加入了美国主导的EUV联盟并获得资金支持，经过长达十几年的研发，终于在2015年实现EUV量产。借此技术，ASML独占鳌头，市场份额达到90%以上。
如今，全球顶尖的芯片制造商如三星、台积电都不得不向ASML订购，令人吃惊的是，仅仅一台最先进的光刻机，售价就高达1亿美元，就这样还供不应求。
EUV光刻机就像一个工业界的“黄金钥匙”，ASML几乎彻底掌控了这个领域。
ASML从最初的不被看好，到后来凭借技术创新逐步成长，最后在EUV领域独领风骚，一举称霸整个光刻机市场。
ASML在光刻机技术的两大突破，无疑奠定了它在行业的绝对支配地位。
首先是90年代成功应用的浸入式技术，这一技术路线的转变让ASML迅速崛起，超越了老牌巨头尼康。
其次是21世纪初研发的EUV技术，这项高难度的技术让ASML几乎将竞争对手杀绝，市场份额超过90%。
从根本上说，ASML能够取得成功的最大原因，是它敢于创新和与时俱进。
无论是当年的浸入式技术，还是后来的EUV技术，它都勇于尝试全新的路线，而不是固步自封。
二、日本的弯道超时，中国华为的崛起
2019年，美对华芯片制裁之初，我国的技术人员前往ASML工厂参观学习。
不曾想，被被当时ASML的技术人员嘲讽，即便把EUV光刻机图纸给中国，中国也造不出这种设备！
然而仅仅4年时间，情况发生了逆转。
2023年，华为发布了自主研发的7nm工艺芯片麒麟9000S，实现了批量化生产。
这款芯片采用了创新的管芯结构设计，大幅降低了功耗，提升了性能。同时，华为还应用先进的封装技术，将多个芯片堆叠在一起，增加了芯片容量。
采用这款芯片的华为Mate60 Pro性能已可媲美3nm iPhone 15 Pro。仅发布几个月，Mate60订单就达1500-1700万台，预计全周期销量可达5000万台。
业内预计，2024年华为将推出10系列和9系列旗舰芯片，采用3D堆叠技术，性能将追上甚至超过高通和苹果。
这表明仅通过自主创新，中国已经能制造出堪比世界的顶级芯片，由此可以看出，我国对于光刻的机的需求没有那么大了。
随着我国芯片突出封锁后，作为我国光刻机主要供应商之一的ASML就感受了威胁，然而更加雪上加霜的是，日本佳能公司2nm芯片的出现，让他“光刻机一哥”的位置摇摇欲坠。
要知道佳能曾在美日半导体竞争中落败，在ASML垄断EUV技术后，佳能就再也无法使用EUV技术，但是它却从未放弃对半导体的研发。
佳能使用的是NIL光刻技术，这是一种“压印”工艺，相较传统工艺根据优势，又比EUV技术更环保。
经过近20年的潜心研发，佳能在10月份发布了一款NIL技术的光刻机。
它不但采用的是最新的紫外固化技术，而且可以刻画线宽14nm的图片，经过后期改良后，是可以实现制作2nm的芯片制作。
最重要的是，佳能表示预计将在2025年实现对2nm芯片的批量生产。
而已经有多个厂家也和它达成了合作，比如铠侠计划2025年用NIL 5nm工艺量产3D NAND芯片，这将大幅提升存储芯片的容量。SK海力士也引入了佳能设备用于先进存储芯片制造。
业内分析，NIL光刻具有功耗更低、成本更优、污染更小的特点，在存储和按需定制芯片制造方面优势明显。
如果佳能成功实现2nm工艺，将对ASML在光刻机市场的主导地位形成强大冲击。
三、ASML一哥地位受影响
多年来，荷兰公司ASML凭借其在光刻机领域的技术优势，稳居全球半导体设备制造商的头把交椅。
其生产的极紫外线(EUV)光刻机被公认为目前世界上最先进的芯片制造设备。众多知名芯片企业如台积电、三星等都依赖ASML的EUV设备进行最先进工艺芯片的制造。
然而，来自日本佳能的纳米压印光刻技术(Nanoimprint Lithography， NIL)的崛起，可能重塑整个半导体制造业的技术格局。
佳能在今年推出了采用NIL技术的FPA-1200NZ2C设备，宣称该设备能够实现5nm的芯片，并且可以达到14nm的线宽。
更令人惊叹的是，佳能表示他们正在优化NIL设备的掩模工艺，预计在不久的将来就能实现2nm工艺的芯片制造，这代表佳能已经突破ASML的技术封锁。
此外，佳能NIL技术已经获得了业内重量级企业的高度认可。
日本企业铠侠宣布已经使用佳能NIL设备成功制造了15nm工艺的NAND芯片，并计划在2025年左右利用5nm NIL工艺实现NAND芯片的量产。
韩国企业SK海力士也宣布，将在2025年前后使用佳能NIL设备实现3D NAND芯片的量产。这无疑将对ASML形成巨大的技术压力。
在中国，多家企业也已加入NIL技术的研发和规模化应用行列。
光刻机龙头企业苏达维格就明确表示，公司已高度关注NIL技术在芯片制造领域替代传统光刻的应用前景，并正在积极布局该项技术。
NIL技术的崛起将有望打破ASML在光刻机领域的长期垄断，使中国芯片制造业更进一步。
结语
中国企业华为通过自主创新，在关键时刻实现了芯片技术的重大突破，与此同时，日本佳能也蓄势多年，在存储芯片制造领域抢占先机，推出颠覆性的NIL光刻技术。
这两大力量都对荷兰ASML的光刻机垄断地位形成了强力冲击。
未来的半导体竞争格局，随着中国企业的崛起和日本佳能技术的进步，或将迎来深刻变革。
【免责声明】文章描述过程、图片都来源于网络，此文章旨在倡导社会正能量，无低俗等不良引导。如涉及版权或者人物侵权问题，请及时联系我们，我们将第一时间删除内容！如有事件存疑部分，联系后即刻删除或作出更改。
