台积电3纳米计划有5种工艺技术，AVX512可为PS3模拟器提速30%

台积电工艺技术路线图及扩张计划：

在台积电技术研讨会上该公司公布了工艺技术路线图及未来扩张计划。先进的N3和N2工艺最受关注，其中3纳米工艺在未来3年发展出5个节点。

初始的3纳米节点被称为N3，有望在今年下半年开始大批量制造，并从明年初交付给客户。N3相比N5功耗降低25%到30%，性能提升10%到15%，逻辑密度是后者的1.7倍，主要针对苹果等早期采用者，并从中获得性能、功率、面积等前沿节点带来的优势。而未来几年台积电还将推出4种N3的衍生制造工艺：N3E、N3P、N3S和N3X。

N3的工艺窗口相对较窄，良率可能也不适合所有应用，N3E将解决这一问题。根据台积电的数据，N3E相比N5功耗降低34%，性能提升18%，逻辑密度是后者的1.6倍。对比来看，N3E在逻辑密度上比初始的N3略低一些，但功耗和性能表现则有过之而无不及。N3E的大批量制造将从明年中期开始，采用N3E工艺节点制造的商业芯片预计将在2023年底到2024年初上市。除了N3E之外还有性能增强版N3P、密度增强版N3S，以及超高性能版N3X。

N3工艺之下可使用FinFlex技术来精确定制以实现更高的性能、更高密度和更低功耗：双栅极单鳍 (2-1) FinFET可带来更小的芯片尺寸及更低的功耗，三栅极双鳍 (3-2) 晶体管可以最大限度地提升性能，而双栅极双鳍 (2-2) FinFET则可以获得一个相对的平衡。

这次台积电还正式公布了N2工艺节点，它将首次使用基于基于纳米片的GAAFET架构，计划在2025年投产。作为全新的平台，N2将广泛采用EUV极紫外光刻。新的环栅晶体管结构将大大降低漏电流并提高性能、降低功耗：同等功率和晶体管数量下性能提升10%到15%，或者同等频率和复杂度下功耗降低25%至30%。同时，N2的节点密度将是N3E的1.1倍以上。

AVX512可为PS3模拟器提速30%

AVX512长期以来遭到包括Linus Torvalds大神在内的广泛批评，被认为是家用酷睿处理器中浪费晶体管的愚蠢行为。从12代酷睿开始，英特尔终于把AVX512拿掉了。而现在这一“无用”指令集在家庭娱乐应用中被发现了更多的用途。

PlayStation 3模拟器RPCS3的开发人员表示，相比AVX2，AVX512能够为模拟器带来高达30%的性能提升。不幸的是，英特尔已经决定从CPU到BIOS层面全面屏蔽AVX512。如果你需要在12代酷睿上使用它的话只能去寻找去年生产的、顶盖上采用环形LOGO（而非代表异构的新方形LOGO）的旧处理器，并且搭配旧版主板BIOS不要升级。

好消息是今年下半年AMD将带来支持AVX512的ZEN4架构锐龙7000处理器，不知道英特尔会不会让AVX512在13代酷睿上重新回归。