全球首家！三星开始生产3nm芯片，击败台积电

昨日三星电子对外宣布，其已开始大规模生产基于3nm GAA（Gate-all-around，环绕栅极）制程工艺技术的芯片，这也使得三星抢先台积电成为了全球首家量产3nm的晶圆代工企业。据彭博社报道，三星已开始生产3纳米芯片，击败了竞争对手台积电，采用了更省电的制造工艺。目前，全球有意愿且有条件发展3nm芯片制造的厂商有台积电、三星、英特尔三家。按计划，台积电的3nm制程将在2022年下半年量产，而英特尔7nm制程改名后的Intel 4也计划在2022年下半年量产。

根据三星公布的数据，与5nm制程相比，3nm制程可以降低45%的功耗、提升23%的性能和缩小16%的芯片面积。未来，它希望其第二代3纳米工艺能将功耗和尺寸分别降低50%和35%，并将性能提高30%。除了抢先量产3nm制程工艺之外，三星也是全球第一个成功将GAA技术应用到量产的3nm芯片当中的晶圆代工厂商。

这一工厂投产也打破了业界的大量猜疑。此前台湾业界就认为，三星可能因为3nm良率过低，而不得不延后量产。客观来说，这一猜疑具有历史基础。三星一直努力追赶台积电的先进工艺，但步伐太大，良率时不时成为隐患。在晶圆代工市场，三星也大幅落后于台积电的份额。

对于三星的突破性进展，台积电表示不予评论。据称，台积电基于FinFET架构的3nm工艺将进入量产阶段，并搭配FINLEX架构。此外，2nm工艺预计在2025年量产。该公告是三星努力与台积电竞争的一个关键里程碑，台积电在合同芯片生产市场上占主导地位，是苹果公司用于其iPhone、iPad、MacBook和Mac的芯片制造商。

其实三星在芯片制造领域一直被台积电压着打。但是在去年，三星宣布了 171 万亿韩元（约 8840.7 亿元人民币）的投资计划，预计将在 2030 年之前超越台积电成为全球顶级逻辑芯片制造商，并且将在其代工业务方面找到中国的新客户！另外还表示台积电的3纳米工艺预计将在今年晚些时候投入生产，这些芯片最初将为 "高性能、低功率计算 "应用而生产，但它计划最终将其用于移动领域。