隨著第四次全球工業革命的浪潮，電子及人工智慧（AI）應用的快速增長正驅動著各行業對更高效、更經濟的電力供應設備的迫切需求。然而，傳統硅半導體器件因其固有的局限性，已難以滿足這些新興應用的高要求。
氮化鎵半導體器件，作為最新一代的半導體材料，近年來已在多個行業中得到廣泛應用，並有望在功率半導體行業的持續變革中扮演核心角色。特別是AI的迅猛發展，為氮化鎵開闢了新的增量市場空間。
在氮化鎵功率半導體領域，英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司（02577.HK）作為領軍企業，成功登陸資本市場是公司發展歷程中的重要里程碑，同時也成為中國半導體產業發展的一大亮點。這一舉措有望進一步提升英諾賽科在全球氮化鎵市場的地位，並在圍繞氮化鎵功率器件的AI伺服器電源競爭中佔據有利位置。
近年來，AI算力的提升催生了新的市場需求。特別是隨著ChatGPT等AI應用的風靡，AIGC加速推動了其下游業務的發展，對上游算力支撐提出了巨大需求。數據中心作為AI應用的重要支撐，其放量確定性極強。氮化鎵功率半導體在數據中心的PSU電源供應單元中發揮著關鍵作用。
與硅基其他半導體材料相比，氮化鎵具有諸多顯著優勢，如高頻、高電子遷移率、強輻射抗性、低導通電阻以及無反向恢復損耗等。這些特性使得氮化鎵功率半導體晶元能夠有效降低能量損耗，提升能源轉換效率，降低系統成本，並實現更小的器件尺寸。
在AI及其他運算密集型應用的推動下，GPU及CPU正朝著更大的電流、更強的動態回應及更高的功率密度方向發展，進而產生了更高的電力需求。高頻氮化鎵功率器件的應用可以有效地減少電感器的體積，為GPU周邊騰出更多空間，以滿足高功率需求。此外，具有更高切換速度和更低能量損耗的氮化鎵伺服器電源能夠將數據中心伺服器的輸出功率提高約50%，同時節省約30%的能源。
面對人工智慧、雲計算、加密貨幣等終端應用的強勁需求，全球算力規模預計將持續快速增長。數據中心作為能源消耗大戶，其電力需求佔全球電力需求的份額也在逐年增加。氮化鎵功率半導體在數據中心領域的應用，如電源裝置和中間匯流排變換器（IBC），正成為優化數據中心能源效率的關鍵技術之一。
根據Trend Force集邦諮詢的最新《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，預計到2030年，全球氮化鎵功率器件市場規模有望上升至43.76億美元。隨著AI技術的不斷演進和數據算力需求的持續增長，對氮化鎵功率器件產品的性能要求也將越來越高。
這一產業趨勢為全球氮化鎵廠商帶來了前所未有的發展機遇。面對廣闊的市場空間和巨大的增長潛力，業內廠商紛紛加大投入，提升研發實力和量產能力。目前，氮化鎵功率器件廠商們關於AI伺服器電源的爭奪戰已經全面展開，英諾賽科等多個玩家已積極入局。
作為國內氮化鎵領域的佼佼者，英諾賽科自2017年成立以來，已快速成長為氮化鎵市場份額的領頭羊。2023年，以折算氮化鎵分立器件出貨量計，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中市場份額排名第一，市佔率高達42.4%。
為了抓住市場機遇，英諾賽科不斷加大產能擴張和技術儲備力度。截至2024年6月30日，英諾賽科已擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產能達到每月12500片晶圓。作為全球首家實現量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業，英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵晶圓量產技術能夠使每晶圓的晶粒產出數提升80%，單顆晶元成本降低30%。
作為IDM企業，英諾賽科實現從設計、製造到測試的自主控制。這種全產業鏈模式使得公司能夠更加靈活地應對市場變化，快速推出符合市場需求的新產品。目前，公司擁有蘇州和珠海兩個生產基地，截至2024年6月30日，以折算氮化鎵分立器件計，公司氮化鎵分立器件累計出貨量已超過8.5億顆。
隨著英諾賽科成功登陸港股並對接資本市場，公司將有望藉助資本市場的力量，進一步加速其全球擴張計劃、技術研發和產能擴充。
