SiC上游材料賽道,3月擴產「追蹤」

2024年04月09日14:55:25 財經 1218

3月,多家SiC上游材料端企業項目進展不斷。

國內外SiC材料企業的擴產也正「快馬加鞭」。

據統計,今年3月,包括Wolfspeed天岳先進、天科合達、東尼電子、南砂晶圓、同光股份、天域半導體、百識電子等SiC襯底/外延企業,均有產能上的擴容進展。

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根據下游市場和客戶需求情況,材料企業在有序推進產能產量的提升。2024年3月,國內外SiC材料企業的產能動態如下:

Wolfspeed

Wolfspeed位於美國北卡羅來納州查塔姆縣的「John Palmour 碳化硅製造中心」封頂。該工廠將生產 8 英寸碳化硅襯底。到 2024 年底,佔地 445 英畝的一期工程預計將完工,預計2025年上半年開始生產,竣工達產後,將使Wolfspeed的SiC襯底產量擴大10倍。

2023年2月初,Wolfspeed宣布計劃在德國薩爾州建造全球最大、最先進的8英寸SiC器件製造工廠,這座歐洲工廠將與莫霍克谷器件工廠(已於2022年4月開業)、John Palmour SiC製造中心(即美國北卡羅來納州SiC材料工廠,剛封頂)一起,共同構成Wolfspeed公司65億美元產能擴張計劃的重要組成部分。

天岳先進

目前,天岳先進臨港工廠擴產進展順利,產品交付有序推進。臨港工廠第二階段的產能規劃也已經步入議程。

天岳先進上海臨港新工廠已於2023年5月開始交付6英寸導電型SiC襯底,目前產能和產量均在持續爬坡中。按照目前的進展來看,天岳先進預計將提前實現達產。在此基礎上,天岳先進在2023年下半年決定將6英寸SiC襯底的生產規模擴大至96萬片/年。上海臨港工廠達產後,將成為天岳先進導電型SiC襯底主要生產基地。

重投天科

重投天科第三代半導體碳化硅材料生產基地在寶安區啟用,該項目總投資32.7億元,重點布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產線,預計今年襯底和外延產能達25萬片,將進一步補強深圳第三代半導體「虛擬全產業鏈(VIDM)」。

該項目由北京天科合達半導體股份有限公司、深圳市重大產業投資集團等各方共同投資建立,建設運營主體單位為天科合達控股子公司深圳市重投天科半導體有限公司。

天科合達-江蘇

江蘇天科合達半導體有限公司碳化硅晶片二期擴產項目主體工程已經完成,該項目總投資8.3億,建築面積4.9萬平方米,目前正在進行核體內外部裝配施工。8月份建成後可實現年產碳化硅襯底16萬片。

天科合達-北京

北京天科合達半導體碳化硅生產基地二期項目也開工,該項目總投資為20億元,建設年限為2024年-2025年,總用地面積為52790平方米,規劃總建築規模為105100平方米,建成後計劃購置長晶及附屬晶體加工、晶片加工、清洗檢測等工藝設備,新建6&8英寸碳化硅襯底生產線。

此外,天科合達也將產業鏈延伸,將啟動碳化硅襯底產業化基地研發中心外延車間改造工程,預計投資2550萬元改造區域的建築裝修、潔凈空調系統、消防系統、工藝動力系統以及室外改造部分等。

東尼電子

此前,東尼電子在湖州市募資4.69億元建設的「年產12萬片碳化硅半導體材料」已實施完畢。在此基礎上,東尼電子湖州碳化硅項目也迎來了擴建。該項目位於湖州市吳興區織里鎮,由旗下全資子公司東尼半導體負責建設。

東尼半導體計劃利用東尼五期廠區的廠房進行擴建,購置包括長晶爐、研磨機超聲波清洗機等在內的421台/套晶體生產加工設備及檢測儀器,以形成年產20萬片碳化硅襯底材料的生產能力。

南砂晶圓

作為南砂晶圓全資子公司,中晶芯源8英寸碳化硅單晶和襯底產業化項目也迎來新進展。該項目總投資15億元,其中環保投資 200 萬元;項目佔地面積 24152.71 平方米,主要進行碳化硅單晶生長和襯底加工生產,預計2025年實現滿產達產。

據悉,南砂晶圓計劃將中晶芯源打造成為全國最大的8英寸碳化硅襯底生產基地。

同光股份

同光股份的SiC襯底項目和粉體項目均順利通過驗收,標誌著產線已全面投入生產。其中,襯底項目是公司首條SiC襯底產線的第三階段建設項目。

目前來看,SiC襯底產線已從最初的4英寸襯底規劃轉型為主要生產6英寸襯底。為了進一步擴大產能,同光股份在2023年對該產線進行了改造,並計劃新建一條產線,預計改造後和新建產線的投產將使產能大幅增長。理論上,完成所有建設項目後,該工廠的SiC襯底產能可提高到30萬片左右。

百豪新材

浙江麗水雲和縣人民政府與上海百豪新材料公司、北京世宇企業管理有限公司簽訂大尺寸SiC單晶襯底產業化項目意向合作協議。值得一提的是,上海百豪新材料公司、北京世宇企業管理有限公司均為掌握有自主知識產權的第三代半導體企業。

天域半導體

天域半導體總部、生產製造中心和研發中心建設項目(松山湖)迎來重大項目動工,該項目總投資80億元,建設周期為2023年-2026年,建設內容包括廠房、研發樓、宿舍以及配套設施等,建成後用於生產6英寸/8英寸碳化硅外延晶片,未來預計年產值約100億元。

據天域半導體董事長李錫光透露,2023年,天域成功摘牌佔地100畝的生態園地塊,並啟動了總產能150萬片/每年6英寸/8英寸碳化硅外延晶片的企業總部及生產製造中心建設項目,第一期預計在2024年4月開始投產。

百識電子

百識電子也透露近期在長三角落地二期產線,產能規劃28萬片/年,打造全國最領先的車規級三代半外延片製造工廠。據悉,百識電子首條產線位於南京市浦口區,於2021年投產,當前年產能達5萬片,客戶多為全球巨頭及國內龍頭。同時,百識電子也宣布完成了A+輪融資。

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