1、存储价格趋势分析
- 价格止跌信号明确
NAND 与 DRAM 分化：NAND 价格自 2023 年 Q4 起逐步企稳，部分料号（如 SLC、MLC）现货价已上涨；DRAM 中 DDR5 价格持续上行，16GB DDR4 现货价企稳回升。
关键时间节点：预计 2024 年 Q2-Q3 开启全面涨价周期，三星、海力士等大厂减产（10%-15%）叠加库存去化完成（终端库存去化 3-4 季度）为触发点。
历史规律验证：三星工厂事故（如火灾、罢工）等事件后，通常 6 个月左右价格启动上涨，本轮周期信号与 2017 年相似。
- 供需结构改善
供给端：2024 年初全球大厂减产持续，三星/海力士/美光资本开支转向先进制程（如 HBM、 DDR5）。
需求端：AI 算力需求爆发（服务器/PC/手机），企业级存储（SSD、DRAM 模组）采购量同比增 30%+，头部云厂商 2024 年资本开支指引增长 20%-25%。
2、产业技术升级与周期逻辑
- 存储技术迭代加速
DDR5 渗透率提升：2024 年服务器 DDR5 渗透率预计达 80%，手机/PC 端逐步导入，单机价值量较 DDR4 提升 40%-60%。
3D 堆叠技术突破：长江存储/兆易创新推出 3D NAND 堆叠方案，应用于 AI 端侧（手机/机器人/自动驾驶），单颗芯片存储密度提升 3 倍，功耗降低 50%。
HBM 竞争格局：海力士领跑 HBM3E 量产，三星/美光加速扩产，2024 年全球 HBM 产能预计翻倍至 60 万片/月，价格年涨幅超 30%。
- 周期特殊性分析
短周期嵌套长周期：2023H2-2024H1 为"去老货"阶段（涨价去库存），2024H2-2026H1 为"新产能"阶段（先进制程放量）。
国产替代窗口期：长存/长鑫产能爬坡，企业级模组（如江波龙、佰维存储）加速替代海外厂商，2024 年国产化率有望从 15%提升至 25%。
3、投资策略与标的推荐
- 核心赛道
企业级存储模组：受益于 AI 服务器资本开支增长，毛利率稳定（25%-30%），关注 江波龙（阿里/腾讯核心供应商）、佰维存储（华为生态链）。
先进存储技术：3D 堆叠方案落地驱动，重点推荐 兆易创新（长江存储生态）、北京君正（车规 DRAM 市占率 40%+），潜在标的 东芯股份（利基型 Nor Flash）。
风险提示：价格涨幅不及预期（若 Q2 需求复苏弱于预期）；地缘政治扰动（美光审查、设备进口限制）。
4、问答环节重点补充
- 国产模组厂商替代逻辑
替代对象：台系厂商（群联、慧荣）份额，原厂（三星/海力士）逐步退出低毛利模组业务。
竞争优势：响应速度（定制化交付周期缩短 30%）、成本优势（较海外低 15%-20%）。
- 细分市场空间测算
3D 堆叠 DRAM：2025 年全球市场规模有望达 120 亿美元，手机/自动驾驶/机器人分别占比40%/30%/20%。
HBM 产业链：封装环节价值量占比 25%-30%，关注 太极实业（海力士封装合作方）、通富微电（AMD 生态）。
- 标的估值争议
当前头部模组厂商 2024 年 PE 35-40X，低于上一轮周期峰值（60X+），产业趋势溢价尚未充分体现。
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