近日，作为先进的半导体技术厂商之一的三星电子今日宣布, 基于3纳米（nm）全环绕栅极（Gate-All-AroundT,简称 GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。
相较三星5纳米（nm）而言，优化的3纳米（nm）工艺，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面积减少16%
三星电子首次实现GAA"多桥-通道场效应晶体管"（简称: MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET）应用打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。三星首先将纳米片晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器领域。
三星电子Foundry业务部总经理崔时荣表示："一直以来，三星电子不断将新一代工艺技术应用于生产制造中。例如：三星的第一个High-K Metal Gate (HKMG) 工艺、FinFET 以及 EUV等。三星希望通过率先采用3nm工艺的"多桥-通道场效应晶体管"（ MBCFETTM），将继续保持半导体行业前沿地位。同时，三星将继续在竞争性技术开发方面积极创新，并建立有助于加速实现技术成熟的流程"。
随着工艺节点变得越来越小，而芯片性能需求越来越高，IC设计师们需要面对处理海量数据，以及验证功能更多、扩展更紧密的复杂产品的挑战。为了满足这些需求，三星致力于提供更稳定的设计环境，以帮助减少设计、验证和批准过程所需的时间，同时也提高了产品的可靠性。（消息来源：三星半导体）
