想想上世纪五六十年代，那时候中国刚起步，半导体技术就成了国家重头戏。1956年，国家规划里就把半导体列为紧急任务，科研人从基础材料抓起，第一只晶体三极管很快就出来了。
接着锗晶体管、硅平面晶体管一个个攻克，这些东西直接用在国防设备上。光刻工艺那时已初见雏形，大家靠自制工具，摸索图案转移的方法。
1965年，中科院和上海电子仪器厂联手搞出65型接触式光刻机，虽然比美国晚几年，但性能没落下太多。
团队用国产零件，调光学精度，上百次实验才定型。这台机器帮着小批量产芯片，积累了不少实战经验。大家那时劲头足，觉得自力更生就能追上世界。
七十年代初，中国光刻技术已有一定基础，但产业规模小，技术升级速度较慢。国外已转向接近式光刻技术，我们还停留在接触式阶段。
1977 年，江苏吴县召开光刻机技术座谈会，几十家相关单位的代表齐聚一堂，探讨如何缩短与国际的差距。
会议制定了技术发展计划，明确要加强技术情报收集、优化光刻机光源等方向。参会人员散会后干劲更足，1978 年美国推出分步投影机，中国科研团队虽然底子薄，也迅速启动逆向研究工作。
1985 年，中电科 45 所成功研制出分步投影光刻机，精度与同期美国产品相当，但研制时间晚了七年。科研人员优化投影系统，反复测试曝光均匀性，付出了大量心血。
那时 ASML 刚成立不久，台积电还未崛起。中国原本有机会依靠集中力量办大事的优势追赶前沿，可惜后来发展路径出现了调整。
八十年代，国际形势发生变化，中美 1979 年建交后，美国表示可以向中国出售部分高科技设备。
当时中国经济建设资金紧张，自主研发过程耗时费力，引进国外设备的想法逐渐兴起。光刻机是结构复杂的多学科交叉设备，直接购买现成产品看似更省事。
这种思路影响下，不少科研项目调整了研发节奏。
运 - 10 飞机 1980 年完成首飞后累计飞行上百次，1985 年相关研制工作暂停，转而开展与麦道公司的合作项目。国防科研领域部分项目进行了调整优化，一些处于研发阶段的项目暂缓推进。
半导体领域也受到影响，光刻机研发资金投入减少，技术迭代节奏放缓。而同期 ASML 整合欧美供应链快速发展，中国与国际先进水平的差距逐渐拉开。
八十年代末，中国引进了一批国外光刻机，生产线在短期内建成投产，但本土自主研发的动力也随之减弱。科研人才队伍出现分流，半导体产业链条的自主化进程受到影响。
到九十年代，技术差距愈发明显，ASML 逐渐垄断高端光刻机市场，台积电成长为芯片制造巨头。中国在追赶过程中遭遇技术封锁，相关零部件进口受限。
重新启动自主研发后，进度相对缓慢。早期积累的技术优势有所流失，许多领域不得不从头摸索。依赖进口的倾向，也在一定程度上制约了自主创新的良性循环。
进入新世纪，国家启动专项计划投入资金重建半导体自主研发体系，但起点与国际先进水平已有较大差距。
此时 ASML 的 EUV 光刻机已占据技术高地，中国光刻机技术还停留在传统技术节点。
部分领域的设备采购仍倾向于进口。2010 年后，国际技术管制趋严，中国加快推进半导体自主产业链建设。光刻机技术的滞后，导致芯片产业发展面临诸多制约。
“造不如买” 的观念，在一定程度上制约了产业发展的潜力，要知道在早期自力更生阶段，中国与国际的技术差距原本相对较小，后期因过度依赖引进，才被逐渐拉开差距。
这段历史时刻警醒我们，核心技术必须牢牢掌握在自己手中。
