传长江存储将建新厂，产能或翻倍；南亚科含EUV晶圆新厂动工

今日热点

1. 传长江存储将建新芯片工厂，产能或翻倍

2. 南亚科：DRAM市况比预期差

3. 传恩智浦关闭中国区APS研发部门

4. 东芝股价大涨，传基金公司拟溢价近3成并购

5. 长江存储推出PCIe 4.0固态硬盘PC300，灵活满足全场景应用需求

6. 南亚科含EUV晶圆新厂动工，采自主10nm级技术生产DRAM

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传长江存储将建新芯片工厂，产能或翻倍

据日经亚洲消息，知情人士称，长江存储计划最早于今年年底在武汉开设第二家工厂，此举或将进一步缩小其与三星、美光等业界领先企业的产能差距。

两名知情人士表示，长江存储工厂已接近满产能，并在2021年底每月生产10万片晶圆。业界估计，长江存储去年占据了近5%的全球市场份额，成为了仅次于三星、SK海力士、铠侠、西部数据和美光的全球第六大NAND闪存制造商。

据称，长江存储约40%的产量为128层3D NAND闪存，其他的出货产品则是64层产品。若长江存储2023年和2024年发展顺利，新工厂将首先主要生产128层产品，而后转向更尖端的芯片，如196层或232层3D NAND闪存。

知情人士还表示，苹果自去年以来一直在测试长江存储的闪存产品，最早可能在今年下达“限量”的第一笔订单。与苹果达成协议将是一个里程碑，为长江存储芯片品质作一个强力的背书。据悉，长江存储已将其投资预算从2016年的240亿美元增加到今年的328亿美元。

该工厂最终产能可能将达到第一期工厂的两倍，之后的总产可能将达到每月30万片晶圆，或帮助长江存储将其全球市场份额扩大至10%以上。

据Counterpoint Research数据，长江存储在全球闪存市场的份额已从2019年的1.3%迅速上升，2021年长江存储的市场份额约为4.8%，预计到2023年可以达到近6%。

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南亚科：DRAM市况比预期差

DRAM大厂南亚科总经理李培瑛近日表示，“近期黑天鹅还满多的”，导致第3季DRAM市况比预期差，下半年价格恐难逃逐季修正，复苏最快要等到明年。南亚科是全球第一家证实下半年市况低迷的DRAM大厂。

DRAM是电子产品必备零组件，随着手机、PC市况不佳，陆续有外资与研调机构看坏下半年DRAM市场，预期价格跌势难挡，传统旺季恐报销，但国际大厂包括三星、SK海力士、美光等都并未表态。

李培瑛昨天释出“第3季市况比预期差，价格将持续修正，复苏恐等到明年”，意味南亚科证实先前外资与研调机构看法，也让南亚科成为全球第一家证实下半年市况低迷的DRAM大厂。

李培瑛指出，通膨影响所有产业，就各应用来看，当前客户库存调整持续进行，目前受影响比较严重的是PC、手机与消费性产品，随着通膨蔓延，目前看来需求最强的云端服务器应用迟早也会受影响，不排除可能面临调整。总体来看，下半年的挑战将比上半年稍高，第3季DRAM价格将持续修正，第4季也恐会延续。

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传恩智浦关闭中国区APS研发部门

据业内爆料称，恩智浦已经关闭中国区APS（Advanced Power System 先进电源系统）研发部门。

传闻称，此次变动影响仅限工作地点在中国大陆地区的研发人员， 该产线其他地区的研发人员将保留在原部门， 原中国大陆区承担的研发任务后续也将转移到中国台湾地区和国外。

该传闻还提到，恩智浦此次人事变动中，研发人员安置方案为与公司内其他部门进行双向匹配，双向选择匹配成功的员工进行内部调动，除此之外无裁员赔偿方案。

资料显示，恩智浦APS研发部门专注于消费电子类Power Delivery产品在中国的研发，拥有模拟电路设计工程师，模拟版图工程师, 数字电路设计工程师,数字电路验证工程师。尽管中国半导体人力市场较为活跃，但该团队过去一年内人员稳定，研发业绩斐然，研发能力颇受美国团队的认可。

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东芝股价大涨，传基金公司拟溢价近3成并购

据路透社报导，传出至少有一家基金公司打算以每股最高 7000 日元并购东芝，较周三收盘价 5501 日元溢价逾 27%，东芝股价周四 (23 日) 上午一度大涨 6.5%，

路透报导，先前东芝为了公司经营重建而广征建议，在今年 5 月底截止收件时，共收到 10 份提案书，其中有 8 件都和私有化有关。

SBI 证券的高级分析师和泉美治表示，每股 7000 日元的价格已超过预期。

东芝即将在 6 月 28 日召开股东大会，其中包含把维权投资人的两名高层列入董事候选名单，不过东芝外部董事绵引万里子 (前名古屋高等法院长官，现担任律师) 表示反对。和泉美治认为，若绵引万里子的意见若未获多数赞成，东芝就可能加速私有化。

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长江存储推出PCIe 4.0固态硬盘PC300，灵活满足全场景应用需求

6月23日，长江存储推出新一代商用固态硬盘——PC300系列产品。该产品是长江存储针对新一代全场景应用需求开发的PCIe 4.0 NVMe M.2固态硬盘，可灵活适配笔记本、超薄本、二合一电脑、台式电脑、IoT/嵌入式设备及服务器等终端，满足全场景存储应用需求。

Forward Insights数据显示：消费级PCIe 4.0 固态硬盘市场正处于爆发式增长阶段，出货量年复合增长率高达86% ；预计到2024年，其市场份额将增长至94%。

PC300系列固态硬盘产品采用长江存储第三代三维闪存芯片，支持PCIe 4.0、NVMe 1.4等接口协议，其顺序读取速度最高可达3,900 MB/s，最高工作功耗低于5W，采用无缓存设计，支持HMB。同时，PC300提供256GB、512GB、1TB三种容量和M.2 22 x 42mm和22 x 80mm两种尺寸，能够灵活满足商用办公、娱乐等需求。

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南亚科含EUV晶圆新厂动工，采自主10nm级技术生产DRAM

6月23日，南亚科在台湾地区新北市泰山南林科技园区举行新厂动土典礼，南亚科规划投资3,000亿元（新台币，下同）兴建一座双层无尘室新厂。

新厂基地将兴建EUV设备独立厂房，以应对未来先进制程导入需求。采用南亚科自主研发的10nm级（1A, 1B, 1C, 1D）制程技术生产DRAM芯片，并将运用“AI智慧制造”技术提升制程效率。新厂规划分三阶段进行扩建，完成后月产能可达到4.5万片晶圆，预计2025年开始装机投片量产，届时，南亚科整体晶粒位元产出将增长高达120%，每年预估可创造超过700亿元产值。

南亚科董事长吴嘉昭表示，为了掌握DRAM关键技术，南亚科五年来研发经费增加3倍，研发人力也扩充至千人规模，全球累计专利数超过5,000件。10奈米级第一代1A技术及产品预计于今年下半年量产，第二代1B技术及产品已进入试产，并已展开第三代1C技术以及应用于1D的EUV 技术研发工作。

南亚科总经理李培瑛表示，在研发方面，南亚科积极开发低碳产品包括下世代存储器DDR5、LPDDR5，可以为客户节省16%到35%的功耗。