一. 价格上涨逻辑
据DigiTimes数据，五月以来，DDR4内存价格持续上行，现货价格近半月已上涨约50%；涨价背后的深层逻辑包括：
（1）供需结构回暖
全球DRAM大厂自2024年起实施减产策略，叠加数据中心等下游需求爆发，市场供需结构发生转变。
（2）技术迭代，供应收缩
DDR5、LPDDR5X、GDDR7等新一代DRAM产品优势显著，溢价空间更高，美光、三星等大厂纷纷停产转产DDR5。
随着产能向DDR5转移，DDR4供应收缩，为后续价格修复埋下伏笔。
（3）囤货需求
由于特朗普关税政策不确定性，下游客户提前采购，引发OEM及渠道囤货潮。
二. 存储概览
存储器是用来存储和读取各种数据信息的记忆部件，按掉电后数据是否保存，分为易失性存储、非易失性存储俩大类。
2.1 易失性存储（RAM）
（1）SRAM：静态随机存储器，不需要周期性刷新，可快速提供近期数据，主要用于CPU缓存。
（2）DRAM ：动态随机存储器，需要周期性刷新，作为程序的临时数据存储；主要用于计算机、服务器、手机。
2.2 非易失性存储（ROM）
（1）NAND Flash：NAND闪存，存储密度高，主要用于固态硬盘等大容量模块。
（2）NOR Flash：NOR闪存，速度极快，主要用于代码存储代码。
三. DRAM分类
DRAM可随时读写且速度快，通常作为系统和程序的临时数据存储，产品形态包括DDR、LPDDR、GDDR：
（1）DDR
标准型内存，平衡容量与性能，服务通用计算场景；主要用于台式机、游戏主机、服务器、汽车电子。
（2）LPDDR（低功耗DDR）
低电压、小尺寸、集成电源管理，主要用于手机、平板等移动设备。
（3）GDDR（图形DDR）
专为图形处理优化，高频率高带宽，主要用于GPU显卡显存；高带宽内存（HBM）为GDDR的3D堆叠变种，用于AI算力芯片。
四. DDR市场格局
三星、美光科技、SK海力士合计占据全球95%份额；国内方面：
（1）芯片厂商
兆易创新：国内存储芯片设计龙头，自研19nmDDR4，应用于消费电子和汽车电子。
澜起科技：DDR内存接口芯片龙头，产品覆盖RCD、DB、PMIC等。
（2）模组厂商（将存储与其他组件集成，形成最终产品）
江波龙：旗下Lexar为存储模组头部品牌，产品覆盖存储卡、移动存储、固态硬盘、DDR内存等。
德明利：全品类布局，覆盖固态硬盘、嵌入式存储、移动存储、DDR内存模组。
佰维存储：存储模组国内头部，产品覆盖嵌入式存储、企业级SSD、存储卡、内存（DDR/LPDDR）。
香农芯创：电子元器件产品本土分销商，拥有SK海力士、MTK联发科等公司代理权。
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