近日，存储芯片市场迎来显著变化。全球半导体巨头三星电子已正式向客户发出通知，计划在第四季度全面上调dram与nand闪存产品的合约价格。这一行为标志着存储芯片行业进入新一轮的价格上涨周期。
图片来源：三星电子
根据报道，此次价格调整主要集中于面向移动设备的低功耗内存（lpddr），具体产品包括lpddr4x、lpddr5和lpddr5x，其涨幅预计在15%至30%之间。同时，应用于移动存储的nand闪存产品价格也将迎来5%到10%的上涨。
此次价格上调并非三星的孤立行为，而是整个存储行业的普遍趋势。此前，包括闪迪和美光在内的多家主要存储芯片制造商已先后宣布涨价。闪迪在本月已通知客户其nand闪存产品价格上调10%，而美光则宣布其主要产品价格涨幅高达20%至30%。这种集体性的价格上调，反映出市场供需关系已发生转变。
本次存储芯片价格上涨的背后，是供给端和需求端双重因素共同作用的结果。
首先，在供给端，厂商存储器公司正在逐步减少ddr4和lpddr4x等代表性老款dram产品的产量，并将重点转向下一代ddr5和hbm。
其次，在需求端，第四季度是传统的电子产品销售旺季，智能手机和笔记本电脑制造商的需求显著增加。更重要的是，人工智能（ai）技术的快速发展，特别是ai pc和ai手机的兴起，对高性能内存和闪存产生了巨大需求，进一步加剧了市场供需不平衡。
此外，根据报道，由于市场需求意外增加，三星电子原计划在今年6月就停止生产ddr4和lpddr4将会进一步延迟到2026年底，进一步反映出，老一代产品市场需求的强劲。
花旗集团等研究机构预测，明年dram和nand闪存的供应将可能出现缺口。这种结构性供需失衡预计将持续到2026年，将直接促进三星电子半导体部门第四季度盈利能力的提升。
