本文由半导体产业纵横（id：icviews）综合
传统通用型dram和服务器高价值dram量价齐升双重驱动，2025年dram市场有望创新高。
根据cfm最新报告显示，2025年年初至今，nand flash市场综合价格指数上涨9.2%，dram市场综合价格指数上涨47.7%。其中，6月nand flash市场综合价格指数上涨0.8%，dram市场综合价格指数上涨19.5%。
以ddr4/lpddr4x为代表的传统dram产品，从2024年下半年供应过剩到2025年上半年供不应求的剧烈反转，对服务器和消费类终端造成较大冲击。在ai驱动的内存升级浪潮、原厂保利润的供应策略与下游长尾刚性需求的叠加作用下，传统通用型dram和服务器高价值dram量价齐升双重驱动，预计将推动2025年dram市场创下历史新高。
美光dram相关业绩情况
根据美光公布的截至2025年5月29日的fy2025q3财季业绩，营收93亿美元，同比增长37%，净利润21.81亿美元，同比增长210.7%。这一业绩得益于dram业务营收创历史新高，其中hbm营收环比增长近50%；数据中心营收同比增长逾一倍；面向消费者的终端市场也实现了强劲的环比增长。
其中，dram在本季度收入70.71亿美元，占总收入的76%，环比增长15.5%。dram bit出货量环比增长超20%，dram asp环比下降低个位数百分比（1%-3%）。
在技术进展方面，美光1-gamma dram技术节点良率提升速度甚至超过了此前1-beta节点创下的纪录，此外还完成了基于1-gamma的lpddr5 dram首批认证样品的出货。
美光1-gamma dram采用极紫外光刻（euv）技术，相比1-beta节点可实现位元密度提升30%，功耗降低20%以上，性能最高提升15%。美光的尖端dram节点（例如 1 beta 和 1 gamma）专注于最新一代产品，例如 ddr5、lpddr5 和 hbm，而ddr4和lpddr4主要采用1-alpha dram 节点生产。
sk海力士dram相关业绩情况
根据sk海力士2025年第一季度财报，公司营收达17.64万亿韩元，同比增长42%，营业利润7.44万亿韩元，同比增长158%。其中，dram业务营收环比实现高个位数增长，平均销售价格（asp）持平。sk海力士在财报电话会议上表示，总销售额中有80%来自dram。sk海力士一季度总销售额为17.6391万亿韩元，其中约有14.1112万亿韩元来自dram。
根据counterpoint报告显示，在sk海力士dram总出货量中，hbm的占比仅为14%，但其在销售额和营业利润中的占比分别达到了44%和54%。sk海力士通过hbm实现了约6.2089万亿韩元的销售额。
值得一提的是，counterpoint数据表明，今年一季度sk海力士以36%的市场份额，在dram营收上首次超越三星，成为行业新“老大”，这是四十多年来首次改写市场格局。
三星dram相关业绩情况
根据三星电子2025年第一季度财报，公司营收达79.1万亿韩元，创历史新高。其中，存储营收为19.1万亿韩元，环比减少17%，同比增长9%；存储业务所在的ds部门q1经营利润为1.1万亿韩元，环比减少62%，同比减少42%。
最新消息称，目前三星电子已完成d1c dram的开发，预计该款产品将很快投入量产，并将成为第六代高带宽存储器hbm4的基础，hbm4计划于今年下半年实现量产。
d1c dram是10纳米早期工艺的产品。自去年全永铉副董事长就任ds部门负责人以来，三星电子开始检验dram的竞争力并改进整体设计。据悉，为了提高良率，三星电子还采用了“干式光刻胶”等新材料和技术。三星电子预计将通过逐步提高d1c的生产比例，同时降低上一代产品的比例来确保稳定的量产良率。通常，量产转移后的初期良率约为50%，而达到80-90%的稳定良率大约需要6个月的时间。
三星电子已制定计划在韩国华城工厂建设1c dram生产线，预计该项投资最早将于今年年底完成。此前，三星电子在平泽第四园区（p4）建设第一条1c dram量产线，规划产能为每月3万片。
根据trendforce最新的内存现货价格趋势报告，dram方面，16gb ddr4消费级dram芯片现货价格持续上涨，而8gb ddr4等pc级dram芯片则出现小幅回调。nand flash方面，随着供应商产能资源逐步释放，加之中国国家补贴政策效应减弱，导致现货市场低迷。具体情况如下：
dram现货价格
虽然现货价格在过去一周开始略有下降，但这主要反映了此前ddr4芯片价格的快速大幅上涨。整体供应仍然非常紧张。值得注意的是，16gb ddr4消费级dram芯片的现货价格持续上涨，而8gb ddr4等pc dram芯片的现货价格则出现小幅回落。trendforce预计，短期内现货价格将基本保持稳定。主流芯片（例如ddr4 1gx8 3200mt/s）的平均现货价格从上周的5.153美元下跌至本周的5.073美元，跌幅为1.55%。
由于主流dram制造商转向生产新一代ddr5和lpddr5x产品，并将于2025年底前大幅削减ddr4和lpddr4的产量，这导致近期成熟制程dram价格上涨明显。 ddr4和lpddr4被视为成熟制程产品。
回溯ddr4的涨价历史，由于存储原厂开始停产ddr4，5月中下旬ddr4报价逐步上涨，但彼时其价格仍低于ddr5；6月上旬开始出现倒挂，ddr4现货价超过ddr5，而两周之后的现在，ddr4现货价格较ddr5高出一倍，价格飙涨速度可见一斑。
在今年一季度最后一个交易日，ddr4 16gb（1gx16）3200现货均价为3.95美元，不到一个季度即飙涨两倍；ddr4 8gb（1gx8）3200则从1.63美元大涨至6月23日的5.2美元，涨幅则接近2.2倍。
上文提到的价格均为现货价格，而在业内人士看来，现货涨价后，ddr4合约价格也有望水涨船高。
存储模组公司威刚近日表示，公司订单需求旺盛，客户“下大单排队等出货”，工厂已经连续5个月加班生产，现阶段订单能见度已至9月。其强调，当前上游原厂对dram与nand flash价格态度仍相当强势，特别是已规划逐步停产的ddr4，在下游提前备货的强大需求下，第三季度合约价涨势已喊出30%-40%的幅度。
nand闪存现货价格
目前现货市场成交低迷。现货价格通常反映市场走势，早于合约价上涨，因此现货价格普遍高于合约价。随着供应商产能资源逐步释放，加之中国国家补贴效应减弱，现货市场成交低迷，整体成交量明显萎缩。本周512gb tlc晶圆现货价格下跌0.11%，报2.680美元。
过去几年，nand 供过于求，需求年增率从 30% 下降到 10%-15%。但 ai 技术的迅猛发展，正在成为新的增长引擎。
自 chatgpt、aigc 等 ai 应用爆火后，对算力和存储的需求呈现出指数级增长。机构预测，到 2025 年，全球企业级 ssd 的 bit 需求量至少增长 30%。
面对这一轮供应紧张、需求回暖的市场行情，其他厂商也纷纷跟进涨价。比如，闪迪（sandisk）早在 3 月 6 日就宣布，自 4 月 1 日起，全渠道存储产品涨价超过 10%，并且还计划实施季度性动态调价。官方给出的理由是供需失衡和国际关税压力。
整个 nand 市场的涨价潮已经愈演愈烈，但这波价格反弹能否持续，还得看终端市场的接受程度。如果 nand 价格上涨过快，可能会让消费者更加谨慎，进一步压制需求。此外，ai 终端产品，比如 ai pc、ai 眼镜、ai 耳机等，目前还处于起步阶段，是否能引发大规模换机潮，仍然存疑。
比如在手机市场，据cfm闪存市场数据显示，预计2025年手机nand平均容量达到224gb，dram平均容量超过8gb。nand方面，搭载emmc和ufs2.2的中低端机型仍然是出货主力，128gb及以下的emmc/ufs2.2的供应以存储品牌模组厂商和国产厂商居多，256gb起步的高端机型更多地集中应用三星、sk海力士等原厂的ufs4.0/4.1。而随着原厂nand制程升级，低容量nand flash产出减少，1tb nand flash wafer供应增加。同时，由于高端旗舰机型占比提升有限，ufs4.0/4.1整体供应充足。因此，反映在手机终端应用的嵌入式nand产品上，呈现低容量嵌入式nand供应整体趋于紧平衡，而256gb及以上ufs4.0供应充足价格压力较大。不过原厂出于坚定保利润的角度，对于嵌入式nand价格让步空间预计将十分有限。
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