英特尔实验室和元器件研究组织已经展示了迄今为止业界最高的硅自旋量子比特器件报告的产量和一致性，该器件是在英特尔晶体管研发设施，位于俄勒冈州希尔斯伯勒Ronler Acres的戈登摩尔公园开发的。这一成就标志着在英特尔晶体管制造工艺上实现量子芯片的规模化和工作的一个重要里程碑。
这项研究使用的是英特尔的第二代硅自旋测试芯片。通过使用英特尔cryoprober(一种在低温(1.7开尔文或-271.45摄氏度)下工作的量子点测试设备)测试设备，该团队分离出12个量子点和4个传感器。这个结果代表了业界最大的硅电子自旋装置，在整个300毫米的硅晶圆上，每个位置都有一个电子。
今天的硅自旋量子位通常在一个设备上呈现，而英特尔的研究证明了在整个晶圆上的成功。使用极紫外(EUV)光刻技术制作的芯片显示出显著的均匀性，整个晶圆的成品率达到95%。使用冷冻探测器和强大的软件自动化实现了900多个单量子点和400多个双量子点在最后一个电子，可以在不到24小时内在绝对零度以上一度的温度下进行表征。
与之前的英特尔测试芯片相比，在低温条件下器件的成品率和均匀性都有所提高，这使得英特尔可以使用统计过程控制来识别制造过程中需要优化的区域。这加速了学习，并代表着向商业量子计算机所需的数千甚至数百万量子位扩展的关键一步。
此外，跨晶圆产量使英特尔能够在单电子状态下自动化跨晶圆数据收集，这使迄今为止最大的单和双量子点演示成为可能。与英特尔之前的测试芯片相比，在低温条件下器件的产量和一致性都有所提高，这代表着向商业化量子计算机所需的数千甚至数百万量子位扩展的关键一步。
英特尔量子硬件部门主管詹姆斯·克拉克说:“英特尔在使用自己的晶体管制造技术制造硅自旋量子比特方面继续取得进展。”“获得的高产量和均匀性表明，在英特尔已建立的晶体管过程节点上制造量子芯片是合理的策略，是技术商业化成熟的成功的有力指标。
Clarke表示:“未来，我们将继续提高这些设备的质量，并开发更大规模的系统，这些步骤将作为基石，帮助我们快速前进。”
想要进一步探索，你可以阅读英特尔实验室在量子计算和热量子位、低温芯片的其他突破方面的研究，以及它与QuTech的合作。
