2023年，面对美国对华变本加厉的光刻机制裁，荷兰阿斯麦尔光刻机巨头温宁克在接受电视采访时以饱含愤怒的口吻称，孤立中国是没有希望的，因为14亿中国人非常聪明，他们会想出我们想不出的办法。
如今这句话被验证了。
一家新公司——新凯来此次携epi“峨眉山”、etch“武夷山”、cvd“长白山”等15款以中国山脉命名的产品高调登场，不仅展现了对第三代半导体、先进制程等领域的深度布局，更是国产突破的强烈信号。
对于这家新公司的亮相，项立刚表示：“上海的这一次芯片展会，新凯来虽说亮相了，但没有光刻机，而光刻机是拿来用的，并不是用来展览的。”“光刻机很快就会被忘记，光刻机这颗明珠很快要变成玻璃珠子了。”
事实上，从新凯来到国内全固态激光技术的duv光源系统的突破，释放出国产设备技术突围的强烈信号。
近期，中国科学院团队已成功研发出基于全固态激光技术的深紫外光（duv）光源系统，通俗点来说便是不用外国技术的深紫外光刻机光源。
这玩意一出来，不光自己能造3纳米芯片，还把美国设的技术封锁给炸开了大口子。
光刻机是造芯片的关键设备，全世界只有荷兰asml那几家公司能造高端货。光刻机的三大核心技术，就是光源系统、光学系统和双工作台，尤其是光源系统直接决定了光刻机的分辨率和精度。
无论是asml、佳能、尼康，他们用的是氟化氩气体激发激光的老办法，通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子，然后以高能量的短脉冲形式发射，输出功率100-120w，频率8k-9khz，再通过光学系统调整，用于光刻设备。
也就是说，传统的光刻机路径既要稀有气体又要精密零件，而现在中科院搞出来的全固态激光路子，直接走另一条路——中科院的固态duv激光技术完全基于固态设计，由自制的yb:yag晶体放大器生成1030nm的激光，再通过两条不同的光学路径进行波长转换。
一路采用四次谐波转换(fhg)，将1030nm激光转换为258nm， 另一路径采用光学参数放大(opa)，将1030nm激光转换为1553nm。
之后，转换后的两路激光通过串级硼酸锂(lbo)晶体混合，生成193nm波长的激光光束。
简言之，科学家用国产的yb:yag晶体当"电池"，先整出基础激光，再分两路走。一路把波长缩到258纳米，另一路伸长到1553纳米，最后在硼酸锂晶体里一碰，稳稳当当地搞出了193纳米的深紫外光。基于此，甚至可用于3nm的工艺节点。
这种设计可以大幅降低光刻系统的复杂度、体积，减少对于稀有气体的依赖，并大大降低能耗。相关技术已经在国际光电工程学会(spie)的官网上公布。
传统光刻技术是欧美日三十年的积累，专利墙非常深厚。
但中国这套基于固态设计的光源系统，不管是结构、材料都发生了巨大的变化，相当于重新设计一套系统。整个过程不用稀罕气体，不用求着外国买零件，并且把成本与维护费极大降低，直接架空了asml的技术专利，就像新能源车对燃油车的颠覆。
这次突破的重要意义在于，其一是光刻机自主化大大提升，并且绕开了欧美专利墙的封锁，从底层物理原理重建技术体系——美国阻拦咱们买yb:yag晶体，我们自己培育；不准用进口硼酸锂？咱们福建产能世界第一。通过新技术转而建立自己的专利壁垒，类似于新能源车三电技术专利绕开燃油车三大件，直接走出了自己的路。进而由此带动了国产供应链。
就像手机带动手机产业链大规模在全国落地，新能源汽车带动汽车全产业链发展一样，这项国产光刻机技术也将因此带动国内上下游产业链全方位发展。比如福建那边产的硼酸锂晶体，本来占全球八成市场但只能当原材料卖，现在直接升级成光刻机的"心脏部件"。
其次是，成本大大降低，虽然现在中科院的原型机功率只有asml设备的千分之七，固态激光发展空间非常大。只要把晶体散热做好，激光器效率提上来，追上现有水平只是时间问题。再加上不用整天伺候金贵的气体循环系统，维护成本天然就低。
如果真能把这技术商业化，以后咱们的中端芯片生产成本能直降三成，把台积电三星都卷哭。
再一个是把光刻机的体积降低了，也进一步降低了运输成本。根据中科院信息，采用固态光源技术，光刻结构更简单，整体体积可以缩小30%以上。
在过去，光刻机由于制造精密，结构庞大，运送非常不方便，asml生产的euv光刻机，光镜头就有1吨多重。一台光刻机，大大小小零部件数量就达到10万多个，总重量180吨左右，其中，2公里长度以上的软管，就需要用到40个集装箱来运输。1台阿斯麦光刻机，我们要想运回全部的所需零部件和辅助设备，至少需要出动3架波音747飞机与其他车辆、船只，运输难度之高显而易见。
这其中的运输成本之高可想而知。而如今，中科院可以减少整整三分之一的体积，不仅意味着它能耗减少，运输成本也跟着降低。
封锁加速中国发展，再一次被验证了
现在最慌的应该是一直搞技术封锁的美国。他们本来指望着靠卡光刻机脖子来拖慢中国发展，谁知道咱们直接跳过被封杀的路线另起炉灶。
连外媒都承认，这可能是芯片战争的重要转折点，中国距离实现半导体自主就差临门一脚了。
越制裁，越出成果，美国限制什么，中国就能搞出什么？封锁加速中国发展，再一次被验证了。
从新凯来从幕后走到前台的这一动作来看，参加中国国际半导体展来看，国产光刻机的产品线已经接近完善了，其产品线已经包括 pvd、cvd、ald、rtp、epi、蚀刻机与检测设备、测量产品和检测产品。按营收计算，新凯来甚至比中微还要大。
那些老说中国人只会山寨的脸，这次怕是都被打肿了。“看看五代机时代没有对手的歼20和歼35，六代机时代唯二天空翱翔的歼36和歼50，如果还有人迷信西方科技，那只能说他对当下的中国太不了解了！”
我们想造euv光刻机，本身有内需市场的支持，再加上我们的研发能力以及这些年的技术与专利积累，达到360万项，中国一直都在扎扎实实推进，把核心技术一件件解决，做精做细，新凯来的使命就是为国产半导体制造高端相关一系列设备，仅用3年时间，就完成研发13类包括光学监测、光学量测、px（原子力显微镜-x射线-、功率监测（kgd-ft)等等在内的多模高端设备，部分正在陆续交付，部分正在攻坚做技术迭代，很多项是战略保密级别，量变产生质变，产业规模性的集中转折和爆发点也只是时间问题。
加上这次国产新光刻机技术具有结构简单、占地面积小、能效高，制造成本低等优势。越来越有点像deepseek对open ai的冲击。
一台euv光刻机，包含了反射镜、光源和工件台三大组件，光源搞定了还得跟对焦系统、移动平台这些配合。除了这些，还有光刻机的物镜，无论是在制造还是安装物镜，都必须保证超精度。
物镜的安装和调整涉及到波像差测量、位移测量、面形测量等多个环节，这些都需要高精度的干涉仪，asml干涉仪是德国蔡司与美国赛克提供，所以这个安装光刻机物镜的干涉仪，也得重新自主研发。加上几十几万个小零部件，很多都是全球顶尖的技术，咱们在精密机械这些年的积累虽然进步快，它不是短时间就能一蹴而就，可能还得再练几年内功，只不过已经是时间问题了。它给全球半导体产业带来的冲击与洗牌, 也可能在后头。
“没有人能遮住满天的星光”，现在的情况，意味着荷兰asml原ceo温宁克的话被验证了，荷兰也得重新琢磨自家光刻机未来的竞争力了。
作者：王新喜 tmt资深评论人 本文未经许可谢绝转载
